[发明专利]导通微通道存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种导通微通道存储器元件，其特征在于：该导通微通道存储器元件 包括：

第一电极层；

固态电解质层，设置于该第一电极层上；

第二电极层，设置于该固态电解质上；

金属层，设置于该固态电解质旁；以及

介电层，设置于该固态电解质与该金属层之间，且该介电层还具有沟槽， 其中该固态电解质层还包括位于该沟槽内的部分，

其中该金属层还包括至少一尖端，朝该固态电解质层配置。

2.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该固态电 解质层覆盖该沟槽的内表面。

3.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该金属层 与该第一电极层电性相连。

4.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该金属层 为单边结构。

5.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该金属层 为双边结构。

6.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该金属层 的材料为可导电的金属复合材料或金属材料。

7.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该第一电 极层的材料包括惰性金属。

8.如权利要求7所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该惰性金 属包括铂、钨、氮化钛或镍。

9.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该介电层 的材料包括氧化硅、氮化硅或聚甲基丙烯酸甲酯。

10.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该固态电 解质层的材料包括硫属化合物、氧化钽、氧化钨或氧化硅。

11.如权利要求10所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该硫属 化合物包括锗硒化合物、锗硫化合物、硫化银或硫化铜。

12.如权利要求1所述的导通微通道存储器元件，其特征在于：该第二电 极层的材料包括银或铜。

13.一种制造导通微通道存储器元件的方法，其特征在于：该方法包括：

在第一电极层上形成介电层；

进行曝光显影与蚀刻，以在该介电层中形成至少一第一沟槽；

在该第一沟槽内填满金属层；

进行曝光显影与蚀刻，以在该第一沟槽旁的该介电层中形成第二沟槽， 该第二沟槽曝露出该第一电极层的部分表面；

在该第二沟槽内沉积固态电解质层；以及

在该固态电解质层上沉积第二电极层。

14.如权利要求13所述的制造导通微通道存储器元件的方法，其特征在 于：形成该第一沟槽的步骤包括：使该第一沟槽曝露出该第一电极层的表面。

15.如权利要求14所述的制造导通微通道存储器元件的方法，其特征在 于：沉积该固态电解质层的步骤包括在该介电层上、该第二沟槽的内壁与该 第一电极层的该表面上共形地沉积该固态电解质层。

16.如权利要求13所述的制造导通微通道存储器元件的方法，其特征在 于：形成该第一沟槽与该第二沟槽所采用的蚀刻方式包括干式蚀刻或湿式蚀 刻。

17.如权利要求13所述的制造导通微通道存储器元件的方法，其特征在 于：沉积该第二电极层之后还包括去除该第二沟槽以外的该固态电解质层以 及该第二电极层。

18.如权利要求17所述的制造导通微通道存储器元件的方法，其特征在 于：去除该第二沟槽以外的该固态电解质层以及该第二电极层的方式包括干 式蚀刻或湿式蚀刻。

19.如权利要求13所述的制造导通微通道存储器元件的方法，其特征在 于：在该第一沟槽内填满该金属层的步骤包括：

在该介电层上以及该第一电极层的该表面上沉积该金属层；以及

以化学机械抛光方式去除该介电层表面的该金属层。