[发明专利]显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及其中在像素中使用发光元件的有源矩阵型显示装置和用于所述类型的显示装置的驱动方法。本发明还涉及包括所述类型的显示装置的电子装置。 

背景技术

近年来，使用有机EL(电致发光)设备作为发光元件的平面自发光型显示装置的发展正在积极进行。有机EL设备利用这种现象：如果将电场施加于有机薄膜，则有机薄膜发光。由于由低于10V的应用电压驱动有机EL设备，因此有机EL设备的功率消耗很低。此外，由于有机EL设备是自身发光的自发光设备，因此不需要其他发光组件，并且可被形成为降低重量和降低厚度的设备。此外，由于有机EL设备的响应速度大约是几μs并很高，因此不会出现在显示动态画面后的残余图像。 

在像素中使用有机EL设备的平坦自发光型显示装置中，在像素中以集成关系形成作为有源元件的薄膜晶体管的有源矩阵类型的显示装置正在积极发展。例如，在日本专利公开Nos.2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791、2004093682和2006-251322中公开了有源矩阵型平坦自发光显示装置。 

图23示意性示出了现有有源矩阵显示装置的例子。参考图23，所示的显示装置包括像素阵列部分1和外围驱动部分。驱动部分包括水平选择器3和写扫描器4。像素阵列部分1包括沿着列方向延伸的多个信号线SL和沿着行方向延伸的多个扫描线WS。像素2被布置在每个信号线SL与每个扫描线WS相交的位置。为了帮助理解，图23中仅示出了一个像素2。写扫描器4包括移位寄存器，其响应于从外部供应至其处的时钟信号ck而操作，以成功传递类似地从外部供应至其处的开始脉冲sp，以向扫描线WS输出顺序控制信号。水平选择器3与写扫描器4侧的线序扫描同步地将图像信号供应至信号线SL。 

像素2包括采样晶体管T1、驱动晶体管T2、存储电容器C1和发光元件EL。驱动晶体管T2是P沟道型，并且在作为电流端子之一的其源极处连接到电源线，并且在作为另一电流端子的其漏极处连接到发光元件EL。驱动晶体管T2在作为其控制端子的其栅极处通过采样晶体管T1连接到信号线SL。采样晶体管T1响应于从写扫描器4供应至其处的控制信号而被致使导通，并采样从信号线SL供应的图像信号并将其写入存储电容器C1中。驱动晶体管T2在其栅极处接收被写入存储电容器C1中的图像信号作为栅极电压Vgs，并将漏极电流Ids供应至发光元件EL。从而，发光元件EL发出具有对应于图像信号的亮度的光。栅极电压Vgs表示关于源极的栅极处电势。 

驱动晶体管T2在饱和区域中操作，并且栅极电压Vgs和漏极电流Ids之间的关系由以下特性表达式表示 

Ids＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)²

其中μ是驱动晶体管的迁移率，W是驱动晶体管的沟道宽度，L是驱动晶体管的沟道长度，Cox是驱动晶体管每单位面积的栅极绝缘层电容，并且Vth是驱动晶体管的阈值电压。如从特性等式明显可见，当驱动晶体管T2在饱和区域中操作时，其运作为响应于栅极电压Vgs而供应漏极电流Ids的恒流源。 

图24图示了发光元件EL的电压/电流特性。在图24中，横坐标轴表示阳极电压V，并且纵坐标轴表示驱动电流Ids。要注意，发光元件EL的阳极电压是驱动晶体管T2的漏极电压。发光元件EL的电流/电压特性随着时间变化，使得其特性曲线趋向于随着时间经过而变得较不陡峭。因此，即使驱动电流Ids固定，阳极电压或漏极电压V变化。在这点上，由于图23中所示的像素电路2中的驱动晶体管T2操作在饱和区域中，并且可以与漏极电压的变化无关地供应与栅极电压Vgs对应的驱动电流Ids，因此可以与发光元件EL的特性的依赖时间的变化无关地保持发光亮度固定。 

图25示出了现有像素电路的另一例子。参考图25，所示的像素电路与上文中参考图23所述的像素电路的不同之处在于，驱动晶体管T2不是P沟道型而是N沟道型。从电路的装配过程，由N沟道晶体管形成组成一个像素的所有晶体管经常是有优势的。 

发明内容