[发明专利]显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及其中在像素中使用发光元件的有源矩阵型显示装置以及用于 所述类型的显示装置的驱动方法。本发明还涉及包括所述类型的显示装置的 电子装置

背景技术

近年来，使用有机EL(电致发光)设备作为发光元件的平面自发光型的 显示装置的开发正积极地进行。有机EL设备利用这样的现象：如果将电场 施加到有机薄膜，则有机薄膜发光。因为有机EL设备由低于10V的施加电 压驱动，所以有机EL设备的功耗低。此外，因为有机EL设备是自己发光的 自发光设备，所以它不要求照明部件并且可以形成为缩减重量和缩减厚度的 设备。此外，因为有机EL设备的响应速度接近几μs并且非常高，所以在显 示动态画面时不出现余像。

在其中在像素中使用有机EL设备的平板自发光型显示装置中，有源矩 阵型的显示装置正被积极地开发，其中作为有源元件的薄膜晶体管在像素中 以集成关系形成。例如，在日本专利特许公开No.2003-255856、2003-271095、 2004-133240、2004-029791和2004-093682中公开了有源矩阵型的平板自发 光显示装置。

图16示意性示出了现有的有源矩阵显示装置的示例。参照图16，所示 的显示装置包括像素阵列部分1和外围驱动部分。所述驱动部分包括水平选 择器3和写入扫描器4。像素阵列部分1包括沿着列方向延伸的多条信号线 SL以及沿着行方向延伸的多条扫描线WS。像素2放置在每条信号线SL和 每条扫描线WS相互交叉的地方。为了便于理解，图16中只示出了一个像素 2。写入扫描器4包括移位寄存器，其响应于从外部提供给其的时钟信号ck 以连续地传送类似地从外部提供给其的开始脉冲sp，以输出顺序控制信号给 扫描线WS。水平选择器3与写入扫描器4侧的线序扫描同步地将图像信号 提供给信号线SL。

像素2包括采样晶体管T1、驱动晶体管T2、存储电容器C1和发光元件 EL。驱动晶体管T2是P沟道型，并且在其作为电流端子之一的源极连接到 电源线，并且在其作为另一电流端子的漏极连接到发光元件EL。驱动晶体管 T2在其作为其控制端子的栅极、通过采样晶体管T1连接到信号线SL。响应 于从写入扫描器4提供给其的控制信号使得采样晶体管T1导通，并且将从信 号线SL提供的图像信号采样并写入存储电容器C1中。驱动晶体管T2在其 栅极接收写入存储电容器C1中的图像信号作为栅极电压Vgs，并且将漏极电 流Ids提供给发光元件EL。因此，发光元件EL以对应于图像信号的亮度发 光。栅极电压Vgs表示在栅极处相对于源极的电势。

驱动晶体管T2工作在饱和区，并且栅极电压Vgs和漏极电流Ids之间的 关系由以下特性表达式表示：

Ids＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)²

其中μ是驱动晶体管的迁移率，W是驱动晶体管的沟道宽度，L是驱动晶体 管的沟道长度，Cox是驱动晶体管的每单位面积的栅极隔离层电容，以及Vth 是驱动晶体管的阈值电压。如从该特性表达式明显看到的，当驱动晶体管T2 工作在饱和区中时，它用作响应于栅极电压Vgs提供漏极电流Ids的恒流源。

图17图示了发光元件EL的电压/电流特性。在图17中，横坐标轴指示 阳极电压V，而纵坐标轴指示漏极电流Ids。要注意的是，发光元件EL的阳 极电压是驱动晶体管T2的漏极电压。发光元件EL的电流/电压特性随着时间 变化，使得其特性曲线随着时间经过趋于变得比较不陡峭。因此，即使漏极 电流Ids固定，阳极电压或漏极电压V也变化。在这点上，因为图16所示的 像素电路2中的驱动晶体管T2工作在饱和区，并且可以提供对应于栅极电压 Vgs的漏极电流Ids而不管漏极电压的变化，所以发光亮度可以保持固定而不 管发光元件EL的特性依赖时间的变化。

图18示出了现有像素电路的另一示例。参照图18，所示像素电路与上 面参照图16所述的像素电路不同在于驱动晶体管T2不是P沟道型而是N沟 道型。从电路的构造工艺来说，由N沟道晶体管形成构成像素的所有晶体管 通常是有利的。

发明内容