[发明专利]分离膜无效
申请号: | 200910009989.1 | 申请日: | 2005-03-15 |
公开(公告)号: | CN101502760A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 相泽正信 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02;B01D53/22;B01D69/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分离 | ||
1.一种分离膜,其包括多孔基体和在该多孔基体表面成膜的沸石薄膜, 所述多孔基体为主要成分包括氧化铝的陶瓷烧结材料,其中,
上述多孔基体具有基层和在该基层表面形成的上述沸石薄膜的底层,
上述底层的平均细孔径小于上述基层的平均细孔径。
2.权利要求1中所述的分离膜,其中,上述多孔基体的氮气透过速度为 200~7000m3/(m2·hr·atm)。
3.权利要求2中所述的分离膜,其中,上述氮气透过速度为400~7000m3/ (m2·hr·atm)。
4.权利要求1至3中任意一项所述的分离膜,其中,上述基层的平均细 孔径为4~12μm,上述底层的平均细孔径为0.4~1.2μm。
5.权利要求1至4中任意一项所述的分离膜,其中,上述基层的厚度为 1~3mm。
6.权利要求1至5中任意一项所述的分离膜,其中,上述底层的厚度为 10~200μm。
7.权利要求1至6中任意一项所述的分离膜,其中,构成上述底层的粒 子的纵横比为1.05以上。
8.权利要求1至6中任意一项所述的分离膜,其中,构成上述底层的粒 子的纵横比为1.2以上。
9.权利要求1至8中任意一项所述的分离膜,其中,上述多孔基体的气 孔率为20~50%。
10.权利要求1至8中任意一项所述的分离膜,其中,上述多孔基体的 气孔率为35~40%。
11.权利要求1至10中任意一项所述的分离膜,其中,按照水泡点法测 定的上述多孔基体的最大细孔径为9μm以下。
12.权利要求1至10中任意一项所述的分离膜,其中,按照水泡点法测 定的上述多孔基体的最大细孔径为7μm以下。
13.权利要求1至12中任意一项所述的分离膜,其中,上述多孔基体含 有的Ca和K的总含有率为0.8mol%以下。
14.权利要求1至12中任意一项所述的分离膜,其中,上述多孔基体含 有的Ca和K的总含有率为0.5mol%以下。
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