[发明专利]一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法无效
| 申请号： | 200910010403.3 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101527261A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 石勇;薛方红;李春艳;薛冬峰;王立秋 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C23C18/02 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 | 代理人： | 王树本 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 薄膜 性能 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善硫族半导体薄膜晶型和光电性能的水热处理方法，其特征在于该水热处理方法分为三个步骤：
(1)、将不同质量的Na2S或Na2SeSO3与水加入到容器中，搅拌5-30分钟，得到摩尔浓度为0.01～0.3mol/L的均匀硫或硒离子溶液；
(2)、将50～150ml的上述硫或硒离子溶液倒入水热釜，把在不同基底为玻璃、TiO2多孔基底、ZnO多孔基底、ITO玻璃、硅片上用化学浴、连续离子层吸附反应法、电沉积法这些软化学法沉积的硫族半导体薄膜为MnS、CdS、PbS、CuInS2、CuInSe2垂直放入到该溶液中，应保证溶液完全没过所需处理的薄膜表面；
(3)、将水热釜加热到160-240℃，并保温10-120分钟，等水热釜在室温下冷却后即可取出薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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