[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910010411.8 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101807633A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 柯志杰;王强;武胜利;肖志国;陈向东 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片，其结构从下至上依次包括：衬底、N型氮化镓层、P型氮化镓层、欧姆接触层和打线电极，其特征在于，在欧姆接触层上具有一组1～7层的氮氧化硅膜；在所述的一组氮氧化硅膜上具有或者不具有一层二氧化硅膜；
其中所述的氮氧化硅膜的单层成膜厚度为575～单层折射率为1.5～2.0，所述的二氧化硅膜的成膜厚度为折射率为1.47。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于所述的氮氧化硅的表示式为：SiOxNy，其中x，y为摩尔系数，x＞0，y＞0，且1.3＜x+y＜2。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制作方法，其步骤包括：在衬底材料上依次生长N型氮化镓层、P型氮化镓层和欧姆接触层，然后生长金属作为打线电极，其特征在于，在欧姆接触层的表面上先通过等离子增强化学气相沉积方法形成一组1～7层氮氧化硅膜，然后在氮氧化硅膜上蚀刻出窗口，作为打线电极的生长窗口；
其中，在沉积所述的一组氮氧化硅膜过程中逐层降低NH3含量，同时相对提高N2O的含量，反应气体及其流量为：SiH4100sccm、NH375～5sccm和N2O 1～85sccm，或者SiH4 100sccm、NH3 75～5sccm、N2O 1～85sccm和N2 200sccm，在200～350℃、60～100W和450～535mtorr的条件下，反应时间为125～750秒，得到单层氮氧化硅膜的成膜厚度为575～单层折射率为1.5～2.0。
4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于在所述的一组氮氧化硅膜上通过等离子增强化学气相沉积方法形成一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上蚀刻出窗口，作为打线电极的生长窗口；
其中，沉积形成所述的二氧化硅膜的反应气体及其流量为：SiH4 50sccm和N2O 200sccm，在200℃、25W和600mtorr的条件下，反应时间为220秒，得到二氧化硅膜的成膜厚度为折射率为1.47。
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