[发明专利]一种在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法无效
| 申请号： | 200910010565.7 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101823900A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周延春;何灵峰;包亦望 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锆铝碳 陶瓷 表面 形成 硅化物 涂层 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法，其特征在于：用硅粉和氟化钠粉混合而成的固体粉末混合物为渗料，将锆铝碳陶瓷材料包埋在渗料中，在惰性气体保护下，以5～30℃/min的升温速度、在900～1300℃条件下、保温0.5～5小时，进行热扩散处理，然后炉冷至室温，即在样品表面形成以二硅化锆-碳化硅涂层。
2.按照权利要求1所述的在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法，其特征在于：按重量百分计，所述粉末混合物的组成为：硅粉95～99％，氟化钠1～5％。
3.按照权利要求1所述的在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法，其特征在于：二硅化锆-碳化硅涂层的厚度为2～150微米。
4.按照权利要求1所述的在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法，其特征在于：所述硅粉纯度≥99.00wt％，粒度≤0.2毫米；氟化钠为分析纯。
5.按照权利要求1所述的在锆铝碳陶瓷表面形成硅化物涂层的方法，其特征在于：所述惰性气体为纯度≥99.99％的氩气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910010565.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种裂解有机硅高沸物制备甲基氯硅烷的方法
- 下一篇：一种专用钛白粉的生产方法
