[发明专利]CuInSe2类太阳能电池材料的制备工艺有效
| 申请号： | 200910010752.5 | 申请日： | 2009-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101525126A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 薛钰芝;武素梅;林纪宁;蒋岩 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈红燕 |
| 地址： | 116028辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cuinse sub 太阳能电池 材料 制备 工艺 | ||
1.一种CuInSe2类太阳能电池材料的制备工艺，包括如下工艺过程：
(1)准备单质粉末原料；
(2)制备化合物粉末：通过高能球磨法利用自蔓延反应将上述单质粉末混合制备成化合物粉末；
(3)制备压块；
所述步骤(1)中的单质粉末原料包括Cu粉、In颗粒、Se粉，其纯度分别为99.99％，99.999％和99.95％，其粒径分别为5-20μm，50-160μm和1-5μm；
所述步骤(2)中，将Cu，In，Se单质粉末按摩尔比1∶1∶2称量，放入球磨容器中，采用球磨仪器进行高能球磨，球磨时间15-20min后，发生自蔓延反应，反应之后继续球磨30-120min，获得CuInSe2化合物粉末；
所述步骤(3)中，取上述CuInSe2化合物粉末1-3g，通过压力设备制成CuInSe2化合物压块材料，其所需压力为10-25KN，压力保持时间为1-5min，获得直径为10mm的CuInSe2化合物压块。
2.根据权利要求1所述的CuInSe2类太阳能电池材料的制备工艺，其特征在于：
所述步骤(1)中的单质粉末原料包括Cu粉、In颗粒、Se粉和Al粉，其纯度分别为质量百分比99.99％，99.999％，99.95％和99.999％，其粒径分别为5-20μm，50-160μm，1-5μm和10-50μm；
所述步骤(2)中，将Cu，In，Al，Se单质粉末按摩尔比1∶(1-x)∶x∶2称量，放入球磨容器中，利用球磨仪器进行高能球磨，球磨时间25-30min后，发生自蔓延反应，反应之后继续球磨30-120min，获得CuIn1-xAlxSe2化合物粉末；其中，x的取值范围为0＜x≤0.3；
所述步骤(3)中，将上述CuIn1-xAlxSe2化合物粉末，通过压力设备制成CuIn1-xAlxSe2化合物压块材料；其所需压力为10-25KN，压力保持时间为1-5min，获得直径为10mm的CuIn1-xAlxSe2化合物压块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连交通大学，未经大连交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910010752.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种铜铟硒CuInSe<SUB>2</SUB>太阳能电池及其制备方法
- 薄膜太阳能电池吸收层CuInSe<sub>2</sub>薄膜的制备方法
- 一种多孔片状CuInSe<sub>2</sub>纳米材料及其制备方法
- 一种太阳能电池用CuInSe<sub>2</sub>薄膜的制备方法
- 一种黄铜矿结构CuInSe<sub>2</sub>或/和CuInSe<sub>2</sub>/ZnS核壳结构量子点的制备方法
- 一种具有黄铜矿结构的CuInSe<sub>2</sub>以及CuIn<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>Se<sub>2</sub>纳米颗粒的制备方法
- 一种CuInSe<sub>2</sub>和TiO<sub>2</sub>复合异质结薄膜的制备方法
- CuInSe2纳米晶修饰的TiO2纳米管光电极的制备方法
- 一种高效合成具有黄铜矿结构的CuInSe<base:Sub>2
- 一种能反射紫外光的CuInSe<base:Sub>2
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
