[发明专利]氮化硅陶瓷的制备方法无效
申请号: | 200910015236.1 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN101555141A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 高礼文;樊震坤;许业静;刘天程;范勇;刘宝英;刘德军 | 申请(专利权)人: | 山东硅元新型材料有限责任公司 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/584;C04B35/64 |
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地址: | 255086山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
1、一种氮化硅陶瓷的制备方法,包括配料、成型和烧成,其特征在于其配料重量百分组成为:
α-Si3N4粉82-88%、AL2O3 5-10%、ZrO23-6%和Y2O3 1-3%。
2、根据权利要求1所述的氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于α-Si3N4中的α相含量>88%。
3、根据权利要求1或2所述的氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于配料粒径分别为:
α-Si3N4 2-30μm、AL2O3 1-3μm、ZrO2 0.5-1μm和Y2O3 1-2μm。
4、根据权利要求3所述的氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于将配料以水为介质球磨混合均匀后,再加入总配料重量的0.8-1.2%的聚乙烯醇混合1.5-3小时获得浆料,烘干造粒,在110-180Mpa压力下等静压成型得坯体。
5、根据权利要求4所述的氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于造粒控制在60-120目筛之间。
6、根据权利要求5所述的氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于将坯体装入氮化炉中,以氮气氛保护,控制烧成温度为1550-1720℃,压力0.01-0.08MPa,保温时间为3-10小时。
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