[发明专利]深紫外非晶透明导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910018427.3 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101661810A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 闫金良;刘建军;石亮;张易军;谢万峰 | 申请（专利权）人： | 鲁东大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;B32B9/04;B32B7/02 |
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| 地址： | 264025山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 外非晶 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种深紫外非晶透明导电膜，其特征在于是一种Ga2O3/Al/Ga2O3多层结构，金属Al层厚度4.5nm-13.5nm，Ga2O3单层厚度20nm-34nm。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外非晶透明导电膜，其特征是光谱透射区域光波长延伸至波长小于300nm的深紫外光区域，薄膜方块电阻86Ω-250Ω。
3.一种深紫外非晶透明导电膜的制备方法，其特征是采用JGS1远紫外光学石英玻璃为衬底，先在氩气氛围中射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶制备Ga2O3层，后在氩气氛围中直流磁控溅射金属Al靶制备金属Al层，最后再在氩气氛围中射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶制备Ga2O3层，最终形成的结构为Ga2O3/Al/Ga2O3多层结构的深紫外透明导电膜。
4.根据权利要求3所述的深紫外非晶透明导电膜的制备方法，其特征是衬底温度为室温，溅射室的氩气压强0.2Pa-2Pa，Ga2O3靶材溅射功率30W-200W；金属Al靶材的溅射电流80mA-150mA，溅射电压200V-400V。
5.根据权利要求4所述的深紫外非晶透明导电膜的制备方法，其特征是氩气压强0.3Pa-0.6Pa。
6.根据权利要求4所述的深紫外非晶透明导电膜的制备方法，其特征是Ga2O3靶材溅射功率40W-60W；金属Al靶材的溅射电流90mA-110mA，溅射电压250V-300V。
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