[发明专利]6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片

权利要求书

1.一种6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片，包括基底和基底上的外延层，其特征是：以6H-SiC材料作为基底，外延层由上至下依次为N型AlGaInP层、发光层、P型AlGaInP层、P型GaP层和金属反射及粘结层，在N型AlGaInP层上设置N型电极，在6H-SiC基底的底面或金属反射及粘结层上设置P型电极。金属反射及粘结层包括一层粘接层和一个金属反射镜。

2.根据权利要求1所述的6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片，其特征是：6H-SiC材料是导电6H-SiC单晶或绝缘6H-SiC单晶。

3.一种权利要求1所述6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片的制作工艺，其特征是：包括以下步骤：

(1)首先在GaAs基底上生长外延结构，按常规由下至上依次外延生长N型AlGaInP层、发光层、P型AlGaInP层和P型GaP层，制成外延层；

(2)在经过抛光的6H-SiC基底上蒸镀金属反射及粘结层，金属反射及粘结层包括一层粘接层和一个金属反射镜；

(3)在200℃~400℃加热、小于1Torr的真空及30PSI~80PSI的静压的条件下将步骤(1)制备的外延层中P型GaP层与步骤(2)中的金属反射及粘结层对接；

(4)选择性腐蚀掉GaAs基底；

(5)在N型AlGaInP层上制作N型电极，在6H-SiC基底的底面或金属反射及粘结层上制作P型电极。