[发明专利]提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法

权利要求书

1.一种提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法，其特征在于，包括下述步骤：

第一步，先将半结晶聚合物绝缘介质制成类圆台形试样；

第二步，将加工好的类圆台形试样放入烘箱中加热，使其接近熔融状态的温度，至少保温10分钟；

第三步，对加热好的试样进行热处理，采用-56℃～-25℃淬火或0.5～1.0℃/min慢速降温。

2.如权利要求1所述的提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法，其特征在于，所述对试样加热使其接近熔融状态的温度为135℃。

3.如权利要求1或2所述的提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法，其特征在于，所述-56℃～-25℃淬火处理是指将试样从烘箱中取出，立即放入-56℃～-25℃的冷藏柜中，保温1小时后取出。

4.如权利要求1或2所述的提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法，其特征在于，所述0.5-1.0℃/min慢速降温是指将试样不从烘箱中取出，控制烘箱加热装置按0.5-1.0℃/min速率降温至室温，最后将试样取出。