[发明专利]一种抗地弹效应的输出电路有效
| 申请号： | 200910021080.8 | 申请日： | 2009-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101488743A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 苏强;刘文平;吴龙胜;唐威 | 申请（专利权）人： | 中国航天时代电子公司第七七一研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710054*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 效应 输出 电路 | ||
1.一种抗地弹效应的输出电路，包括连接预驱动电路上节点(G)的第一PMOS晶体管(101)、连接预驱动电路下节点(F)的第一NMOS晶体管(103)，第一PMOS晶体管(101)的栅极通过串联的第一和第二反相器与第二PMOS晶体管(102)的栅极连接；第一NMOS晶体管(103)的栅极通过串联的第三和第四反相器与第二NMOS晶体管(104)的栅极连接，其特征在于，所述第一PMOS晶体管(101)的体区、第二PMOS晶体管(102)的体区分别连接有PMOS阈值电压调整电路(105)；所述第一NMOS晶体管(103)的体区、第二NMOS晶体管(104)的体区分别连接有NMOS阈值电压调整电路(106)；PMOS阈值电压调整电路(105)和NMOS阈值电压调整电路(106)在预驱动电路上(G)、下节点(F)由低电平转换为高电平时，使第一、第二PMOS晶体管(101)、(102)的阈值电压增大，第一、第二NMOS晶体管(103)、(104)的阈值电压减小；在预驱动电路上(G)、下节点(F)由高电平转换为低电平时，使第一、第二PMOS晶体管(101)、(102)的阈值电压减小，第一、第二NMOS晶体管(103)、(104)的阈值电压增大，从而实现输出电路的抗地弹效应，并减小功耗和延迟；
所述PMOS阈值电压调整电路(105)包括第三PMOS晶体管(202)，其源极连接被调整PMOS晶体管的源极；该第三PMOS晶体管(202)的漏极连接被调整PMOS晶体管的体区，并通过第一电容(203)连接被调整PMOS晶体管的栅极；该第三PMOS晶体管(202)的栅极通过第五反相器(201)连接被调整PMOS晶体管的栅极；
所述NMOS阈值电压调整电路(106)包括第三NMOS晶体管(302)，其源极连接被调整NMOS晶体管的源极；该第三NMOS晶体管(302)的漏极连接被调整NMOS晶体管的体区，并通过第二电容(303)连接被调整NMOS晶体管的栅极；该第三NMOS晶体管(302)的栅极通过第六反相器(301)连接被调整NMOS晶体管的栅极。
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