[发明专利]一种有机电致发光图像变换器件

说明书

技术领域

本发明属于平板显示领域的有机电致发光显示器件(OLED)，具体涉及一种半导体光电管(光电二极管或三极管)与有机电致发光显示器件结合的图像变换器件。

背景技术

图像信息是人类获取知识、信息的主要手段之一。据生物学家的研究统计，人类获取的知识和信息中，75％是通过视觉图想获得的。随着科学的进步，社会的发展，人类对图像信息的需求不断扩展，几乎融入到经济生活的各个领域。其中比较重要的一类，就是将不可见光图像或弱光图像，通过器件或技术等手段变成可见图像。

传统的图像变换器件就是变像管，其工作原理是将光电阴极封装在真空管中，管的另一端涂有荧光粉，管中有电子聚焦系统和加速电场，当有光子入射时，光电阴极吸收光子能量发射光电子，光电子在电场中加速后轰击荧光粉发光，形成可见光图像。这种器件，体积较大，工作时需要较高电压，器件易碎。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种工作电压低、能耗小，体积小、超薄，高亮度高发光的半导体光电管(光电二极管或三极管)与有机电致发光显示器件结合的图像变换器件。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：包括上表面有ITO导电层的玻璃基板以及自下而上依次设置在玻璃基板上的有机发光层，铝栅和半导体光电管阵列，ITO导电层和铝柵分别与控制电源的光积分控制极Фx、信号传输控制极Φo相连，铝柵既是有机发光层的阴极又是半导体光电管阵列的一个电极，铝柵将有机发光层和半导体光电管阵列连接为一体形成图像变换器件。

本发明在入射光波长λ≤1.24Egμm]]>时，控制电源的光积分控制极Φx为高电平、信号传输控制极Φo为低电平，则半导体光电管阵列进行光积分形成光电子；之后，Φx为低电平、Φo为高电平，则有机发光层导通发光，发光强度与光生电子成正比。

本发明中用半导体光电管阵列完成光信息(不可见或弱光信息)转变成光电子，形成电子潜像，当入射光波长λ≤1.24Egμm]]>时，就会在半导体表面形成光生载流子，载流子扩散进入PN结，被内建电场分开，空穴进入P区，电子进入N区，此时若PN结反偏，Φx为高电平，Φo为低电平，则只有电子留在结内，空穴入地，形成与光强正比的电子潜像；Φx为高低平、Φo为高电平，则有机发光二极管导通发光，发光强度与光生电子成正比。由于本发明使用铝栅将半导体光电管与有机电致发光显示器件连接形成一个整体器件，并引入Φx、Φo控制极，在适当的脉冲电压控制下完成光积分，实现图像的转换。

附图说明

附图是本发明的整体结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

参见附图，本发明包括上表面有ITO导电层1的玻璃基板以及自下而上依次设置在玻璃基板上的有机发光层2，铝柵3和半导体光电管阵列4，ITO导电层1和铝柵3分别与控制电源的光积分控制极Φx、信号传输控制极Φo相连，铝柵3既是有机发光层2的阴极又是半导体光电管阵列4的一个电极，铝柵3将有机发光层2和半导体光电管阵列4连接为一体形成图像变换器件。在有信号光入射时，控制电源的光积分控制极Фx为高电平、信号传输控制极Φo为低电平，则半导体光电管阵列[4]进行光积分形成光电子；之后，Φx为高低平、Φo为高电平，则有机发光层[2]导通发光，发光强度与光生电子成正比。