[发明专利]铟锡氧化物导电膜图形蚀刻的蚀刻液无效
申请号: | 200910022387.X | 申请日: | 2009-05-07 |
公开(公告)号: | CN101550340A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 赵炜;程花蕾;吴静;李翌辉 | 申请(专利权)人: | 西安宝莱特光电科技有限公司 |
主分类号: | C09K13/00 | 分类号: | C09K13/00 |
代理公司: | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李 罡 |
地址: | 710021陕西省西安市未*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 导电 图形 蚀刻 | ||
【权利要求书】:
1、铟锡氧化物导电膜图形蚀刻的蚀刻液,其特征在于:所述的蚀刻液的配方为:草酸和三氯化铁水溶液,其中草酸浓度范围为0.01~5.0mol/L,三氯化铁浓度范围为0.01~5.0mol/L。
2、根据权利要求1所述的铟锡氧化物导电膜图形蚀刻的蚀刻液,其特征在于:所述的蚀刻液的配方为:草酸和三氯化铁水溶液,其中草酸浓度为1mol/L,三氯化铁浓度为3mol/L。
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