[发明专利]表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法

权利要求书

1.一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)采用低压化学气相淀积工艺，在单晶硅片上淀积氮化硅层，再在氮化硅层上涂敷光刻胶层；

(2)制作栅条形掩膜版，并以栅条形掩膜版为掩护，刻蚀光刻胶层，得到光刻胶栅条；再以光刻胶栅条为掩护，湿法刻蚀氮化硅层，得到氮化硅栅条；继续湿法刻蚀单晶硅片，形成U型单晶硅槽，然后化学去除氮化硅栅条上的光刻胶栅条；

(3)高温氧化U型单晶硅槽，形成U型氧化硅槽；再湿法刻蚀掉氮化硅栅条，以U型氧化硅槽为掩护，湿法刻蚀单晶硅片，凸出U型氧化硅槽的两侧壁，得到氧化硅纳米线；再次高温氧化单晶硅片；

(4)在氧化硅纳米线上制作“L”形的电子发射薄膜阵列，“L”形的一个臂跨越氧化硅纳米线；然后腐蚀去除氧化硅纳米线，并剥离氧化硅纳米线之上的电子发射薄膜，形成具有纳米狭缝的电子发射源阵列；最后，制作行电极和列电极。

2.根据权利要求1所述的一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀氮化硅层，是采用质量浓度85％的磷酸在180℃下湿法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀单晶硅片，是采用质量浓度82.5％的四甲基氢氧化铵TMAH各向异性湿法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，所述化学去除氮化硅栅条上的光刻胶栅条，是采用有机溶剂丙酮溶解并洗掉光刻胶。

5.根据权利要求1所述的一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，所述腐蚀去除氧化硅纳米线，是采用质量浓度1％的HF酸腐蚀去除。

6.根据权利要求1所述的一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，所述在氧化硅纳米线上制作“L”形的电子发射薄膜阵列，是采用喷墨打印工艺或溅射工艺制作。

7.根据权利要求1所述的一种表面传导电子发射平板显示器件的电子发射源制作方法，其特征在于，所述制作行电极和列电极，是采用丝网印刷工艺制作。