[发明专利]一种用于印刷型场发射显示器的下基板及其制作方法无效
申请号: | 200910022663.2 | 申请日: | 2009-05-22 |
公开(公告)号: | CN101620969A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 李军 | 申请(专利权)人: | 彩虹集团公司 |
主分类号: | H01J29/00 | 分类号: | H01J29/00;H01J9/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 71202*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 印刷 发射 显示器 下基板 及其 制作方法 | ||
1.一种用于印刷型场发射显示器的下基板,包括玻璃基板(1)、印制在玻璃基板(1)上的栅极(2)、栅极(2)上的绝缘介质层(3)和下基板最上部的阴极(5),其特征在于:所述下基板包括设置在绝缘介质层(3)和阴极(5)之间的SiO2绝缘层(4)。
2.一种用于印刷型场发射显示器的下基板制作方法,其特征在于,按照以下步骤:
(1)、制作栅极:用去污粉和去离子水分别超声清洗玻璃基板(1)并用气枪吹干,然后用精密丝网印刷机在玻璃基板(1)上印刷栅极(2),玻璃基板(1)上的印刷栅极(2)在100℃干燥20min后烧结,烧结制度为370℃保温20min,570℃保温20min,升温速率5℃/min,得到栅极(2);
(2)、制作绝缘介质层:在栅极(2)上印刷绝缘介质层(3),印刷好的绝缘介质层(3)在100℃干燥20min后烧结,烧结制度为370℃保温20min,580℃保温20min,升温速率5℃/min,得到绝缘介质层(3);
(3)、制作SiO2绝缘层:利用磁控溅射法,用镍合金片制作掩膜,在绝缘介质层(3)上溅射SiO2膜,获得带SiO2绝缘层(4),SiO2绝缘层(4)厚度为200nm;所述磁控溅射法采用SiO2陶瓷靶作靶材,衬底温度为400℃,工作气体为Ar,背底真空度为4×10-3Pa,工作气压为0.8Pa,溅射功率为350W,溅射时间为10min;
(4)、制作阴极:在SiO2绝缘层(4)上印刷阴极(5)银浆料,印刷好的阴极(5)银浆料在100℃干燥20min后烧结,烧结制度为370℃保温20min,570℃保温20min,升温速率5℃/min,得到阴极(5);
(5)、制作阴极发射体:碳纳米管、有机载体和金属填料混合均匀配制成浆料,浆料中碳纳米管的质量分数为8%-20%,金属填料的质量分数为4%-10%,余量为有机载体;将浆料印刷在阴极(5)上并在120℃干燥20min后烧结,烧结制度为340℃保温20min,450℃保温20min,升温速率5℃/min,得到阴极发射体(6),完成下基板的制作。
3.根据权利要求2所述的一种用于印刷型场发射显示器的下基板制作方法,其特征在于:所述有机载体由松油醇和乙基纤维素按照质量比9∶1的比例构成。
4.根据权利要求2所述的一种用于印刷型场发射显示器的下基板制作方法,其特征在于:所述金属填料为银纳米颗粒。
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