[发明专利]一种结构信息融合的电阻抗断层成像方法有效
申请号: | 200910022777.7 | 申请日: | 2009-06-01 |
公开(公告)号: | CN101564294A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 董秀珍;付峰;徐灿华;刘锐岗;史学涛;尤富生 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军第四军医大学 |
主分类号: | A61B5/053 | 分类号: | A61B5/053 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张震国 |
地址: | 710038*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 信息 融合 阻抗 断层 成像 方法 | ||
1.一种结构信息融合的电阻抗断层成像方法,其特征在于,包括下述步骤:
1)首先将定标物粘贴于待测体表面电阻抗测量电极粘贴处并对电极位置进行定标;
2)然后通过结构成像装置对待测体进行结构成像,通过结构信息采集装置采集结构成像装置测得的结构图像并输出到EIT系统中;
3)由EIT系统将结构信息采集装置采集的结构图像通过前处理提取EIT的先验信息并将提取好的先验信息保存到EIT系统内;
所述的前处理包括提取待测体边界,提取电极粘贴处位置,对待测体内部结构进行分割,提取待测体各结构内部的电阻抗初始分布信息从而得到先验信息,即:待测体边界信息,电极粘贴处位置信息,待测体内部结构边界信息,待测体各结构内部的电阻抗初始分布信息;
4)由EIT系统读取已提取的先验信息,根据采集的实时阻抗测量数据重构出基于先验信息的EIT图像;
所述的重构出基于先验信息的EIT图像包括如下步骤:
①根据待测体边界信息、内部结构边界信息和电极位置进行剖分;
②根据电极位置、内部电阻抗初始分布信息,通过有限元方法生成敏感矩阵S;
③采用加权最小阻尼二乘法进行阻抗图像的重构得电阻抗矩阵或电阻抗变化的矩阵;
④对所重构出的电阻抗矩阵或电阻抗变化的矩阵采用可视化的形式结合先验信息进行实时的图形化显示;
5)最后EIT系统将采集的结构图像和重构出的基于先验信息的EIT图像进行融合得到结构信息融合的EIT图像;并由EIT系统保存、打印所得的结构信息融合的EIT图像。
2.根据权利要求1所述的结构信息融合的电阻抗断层成像方法,其特征在于:所述的结构图像包括CT图像、MRI图像、SPECT图像、PET图像、超声图像或者这些图像相互配准融合而成的图像。
3.根据权利要求1所述的结构信息融合的电阻抗断层成像方法,其特征在于:实时的阻抗测量包括各种激励和测量模式的组合。
4.根据权利要求1所述的结构信息融合的电阻抗断层成像方法,其特征在于:所述的图形化显示采用灰度的或伪彩的二维或三维图像进行显示,通过调整阻抗窗宽窗位来改变灰度值和电阻抗矩阵的映射关系。
5.根据权利要求1所述的结构信息融合的电阻抗断层成像方法,其特征在于:所述的EIT图像融合根据感兴趣区划分阈值不同来改变图像透明度。
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