[发明专利]一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法

权利要求书

1.一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：包括以下操作步骤：

①先在场致发射显示器的下基板(1)上制得包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层(2)；

②再在栅极电极层(2)上印刷整面水溶性绝缘介质层(3)，对水溶性绝缘介质层(3)进行烘干后高温烧结；

③然后在烧结水溶性绝缘介质层(3)上印刷整面阴极电极层(4)，将阴极电极层(4)烘干；所述的阴极电极层(4)材料为感光性银浆；

④再利用阴极电极层(4)的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层(4)进行曝光显影，使整面阴极电极层(4)形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层(4)；所述光刻后阴极电极层(4)与栅极电极层(2)垂直交叉；

⑤利用步骤④制得的光刻后阴极电极层(4)作为掩膜，对整面水溶性绝缘介质层(3)进行湿法刻蚀，使整面水溶性绝缘介质层(3)形成与阴极电极层(4)相同图形的水溶性绝缘介质层(3)；

⑥将阴极电极层(4)进行烧结；

⑦在烧结后的阴极电极层(4)上印刷致密薄层材料层(5)，再将致密薄层材料层(5)烘干；

⑧然后在致密薄层材料层(5)上覆盖碳纳米管阴极材料层(6)，再将碳纳米管阴极材料层(6)烘干；

⑨再对致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)同时进行烧结，使致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)成型；

⑩最后将整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管阴极材料层(6)的发射性能。

2.一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：包括以下操作步骤：

①先在场致发射显示器的下基板(1)上制得包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层(2)；

②再在栅极电极层(2)上印刷整面水溶性绝缘介质层(3)，对水溶性绝缘介质层(3)进行110～130℃，常压下，烘干10～15分钟后，再在580℃，常压下，烧结20分钟；

③然后在烧结后水溶性绝缘介质层(3)上印刷整面阴极电极层(4)，将阴极电极层(4)在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；所述的阴极电极层(4)材料为感光性银浆；

④再利用阴极电极层(4)的菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层(4)进行曝光显影，使整面阴极电极层(4)形成由多个平行条状阴极电极组成的阴极电极层(4)；所述光刻后阴极电极层(4)图形与栅极电极层(2)垂直交叉；其中曝光显影的曝光能量为600～800mJ，显影液是浓度为0.3％～0.5％的碳酸钠溶液；

⑤利用步骤④制得的光刻后阴极电极层(4)作为掩膜，对整面水溶性绝缘介质层(3)进行湿法刻蚀，使整面水溶性绝缘介质层(3)形成与阴极电极层(4)相同图形的水溶性绝缘介质层(3)；其中湿法刻蚀采用的药液为浓度为0.3％-0.5％的稀硝酸溶液，溶液温度为35℃-40℃，刻蚀时间为100秒～130秒；

⑥将阴极电极层(4)在570℃，常压下，烧结20分钟；

⑦在烧结后的阴极电极层(4)上印刷致密薄层材料层(5)，然后将致密薄层在100～130℃，常压下烘干10～15分钟；

⑧然后在致密薄层材料层(5)上覆盖碳纳米管阴极材料层(6)，将碳纳米管阴极材料层(6)在100～130℃，常压下烘干10～15分钟；

⑨再对致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)在350℃，常压下，同时进行一次性烧结15分钟；使致密薄层材料层(5)和碳纳米管阴极材料层(6)成型；

⑩最后将整个下基板超声波处理，去除表面杂质，增强碳纳米管阴极材料层(6)的发射性能。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：步骤②中，所述栅极电极层(2)上印刷有1层或2层整面水溶性绝缘介质层(3)。

4.根据权利要求1或2所述的一种碳纳米管场致发射显示器下基板结构的制作方法，其特征在于：步骤①中，在场致发射显示器的下基板(1)上利用丝网印刷法直接印刷包含有多个平行条状栅极电极组成的栅极电极层(2)，然后在80～110℃，常压下，烘干20～30分钟；再在570℃，常压下，烧结20分钟；所述的栅极电极层(2)材料为银浆。