[发明专利]一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于制备过程为：

(1)将金属氧化物HfO₂和MnO₂，按照Hf_0.8Mn_0.2O₂中Hf∶Mn的摩 尔比为4∶1称量，混合研磨后在1400℃温度下恒温处理12-24小时后取 出；

(2)再仔细研磨，混合充分，在压片机上用硬质钢模具将混合粉末 压制成圆片；

(3)将步骤(2)中的圆片放在刚玉坩埚里，在硅碳管发热体管式高 温炉内烧结，在氩气气氛中于1400℃温度下烧结12-24小时，然后随炉冷 却至室温，得到相应的稳定氧化铪样品；

(4)对步骤(3)中的稳定氧化铪样品表面进行打磨制备成靶材；

(5)将沉积室预抽真空，以清洗后的YSZ单晶基片作为衬底，在氩 气气氛中、压力为5-10Pa的沉积气压和800-900℃衬底温度下，用能量为 550mJ和频率为5-10Hz的脉冲激光剥蚀步骤(4)中所述靶材15-30分钟 获得薄膜，并在一个大气压氩气中将所述薄膜冷却至室温，即制得锰稳定 氧化铪薄膜；其中，所述YSZ是指钇稳定的氧化锆。

2.按照权利要求1所述的一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法，其特征 在于，步骤(2)中所述压片机的压力为10Mpa。

3.按照权利要求1所述的一种锰稳定氧化铪薄膜的制备方法，其特征 在于，步骤(5)中所述沉积室的真空度为2×10^-4Pa。