[发明专利]一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法有效
| 申请号： | 200910023074.6 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101587763A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 熊晓梅;卢亚锋;李成山;于泽铭;金利华 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B12/06 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 710016陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 超导 涂层 导体 缓冲 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高温超导涂层导体缓冲层的制备方法，其特征在于，制备过程为：
(1)前驱溶液制备：称取乙酰丙酮锆粉末和四水醋酸锰粉末，按Mn∶Zr＝x∶1-x的原子比配制，其中0.1≤x≤0.4，再加入有机溶剂丙酸或甲醇，低温80-120℃溶解获得前驱溶液，所述前驱溶液的摩尔浓度是0.1M～0.5M；
(2)旋涂或浸涂：选取丙酮清洁过的钛酸锶单晶片，或Ni-5at.％W合金为基底且涂有已立方织构化的La2Zr2O7薄膜的基片，旋涂时，所述单晶片或基片水平放置在旋涂机吸口上，将(1)所述的前驱溶液均匀滴到单晶片或基片上，旋涂机的速率是3000转/min，旋涂时间为60s；浸涂时，钛酸锶单晶片或所述基片浸入步骤(1)中所述前驱溶液10s后，以4cm/min抽出，旋涂或浸涂后均放入50～60℃烘箱内，10min后获得前驱膜；
(3)晶化处理：将步骤(2)中的前驱膜放入高温炉中，炉子的升温速率是3-4℃/min，升至900℃-1000℃，保温0.5-5小时，随炉冷却，即得到高温超导涂层导体MnxZr1-xO2缓冲层薄膜，其中0.1≤x≤0.4。
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