[发明专利]一种碳纳米管同位素电池无效
| 申请号： | 200910023563.1 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101645317A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 彭振驯;贺朝会 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 同位素 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳纳米管同位素电池，其特征在于：在绝缘外壳(7)内，第 一电极(1)与第二电极(6)之间设置有绝缘封装层(2)，在绝缘封 装层(2)的下部设置有P型碳纳米管宏观体(3)，在P型碳纳米管宏 观体(3)的下面设置有N型硅(4)，在N型硅(4)与最底层的第二 电极(6)之间为相对于N型硅(4)为高掺杂浓度的N型硅(5)。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管同位素电池，其特征在于：所述的 P型碳纳米管宏观体(3)是电池燃料放射性同位素氚气的加载材料。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管同位素电池，其特征在于：所述的 P型碳纳米管宏观体(3)与N型硅(4)形成的异质结构成了碳纳米管 同位素电池的换能结构。
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