[发明专利]一种Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910023722.8 申请日: 2009-08-28
公开(公告)号: CN101654780A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 贺海燕;曹丽云;黄剑锋;吴建鹏;于慧阳 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C23C20/08 分类号: C23C20/08;C04B35/462;C04B41/50;B05D1/38;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L41/24;H01F41/24;H01F10/18
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 徐文权
地址: 710021陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 bi sub 3.2 nd 0.8 ti 12 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)制备先驱体溶液:

首先,按Bi3.2Nd0.8Ti3O12化学式分别取硝酸铋或乙酸铋,硝酸钕和钛酸丁酯或钛酸四丁酯,然后将硝酸铋或乙酸铋和硝酸钕溶解于冰乙酸中得到溶液A,再向溶液A中加入溶液A中硝酸铋或乙酸铋质量5~10%的硝酸铋或乙酸铋之后用盐酸调节pH<3得溶液B;

其次,将钛酸丁酯或钛酸四丁酯溶于冰乙酸中得到溶液C,再向溶液C中加入乙酰丙酮得到溶液D;

最后,将溶液B和溶液D混合,再向混合溶液中加入乙二醇和柠檬酸后用冰乙酸调节混合溶液的浓度至金属离子Ti4+的摩尔浓度至金属离子Ti4+的摩尔浓度为0.01mol/l得到先驱体溶液,先驱体溶液中金属离子∶乙二醇∶柠檬酸∶乙酰丙酮=1∶(1~4)∶(1~2)∶0.1;

2)涂膜:采用浸涂或旋涂工艺将先驱体溶液涂敷在基片上,每次涂敷后将其在120-150℃干燥,反复上述的涂敷和干燥过程直至得到要求厚度的薄膜;

3)退火:

将涂膜后的基片自室温以200~300℃/min的升温速率升温至650~1000℃退火3min或直接将涂膜后的基片放入650-1000℃的高温炉中退火3min后立即从炉中取出冷却得到c-取向薄膜;

或将涂膜后的基片在350-400℃预热处理10min后以大于200~300℃/min的升温速率升温至650-750℃退火3-60min得到a-取向薄膜。

2、根据权利要求1所述的Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法,其特征在于:为了降低先驱体溶液的粘度,将先驱体溶液在60-80℃凝胶化30-60min。

3、根据权利要求1所述的Bi3.2Nd0.8Ti3O12铁电薄膜的制备方法,其特征在于:所说的基片采用单晶硅基片,涂膜前用无水乙醇和丙酮分别对单晶硅基片超声清洗后风干。

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