[发明专利]一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该晶体的生长方法

权利要求书

1.一种生长碘化汞单晶体的立式炉，包括炉体底板（6），在炉体底板（6）上设置筒状的石英真空保温层（1）和炉膛（8），炉膛（8）套设于石英真空保温层（1）的内部，炉膛（8）与石英真空保温层（1）之间的柱状腔体中部设置有隔热圈（9），柱状腔体被隔热圈（9）分隔出的上腔体（3）和下腔体（4），上腔体（3）和下腔体（4）内分别设置有两套加热器，炉膛（8）和上腔体（3）的上部设置有密封盖（12）；所述炉体底板（6）中心活动穿设有金属支杆（7），金属支杆（7）位于炉膛（8）内的一端上设置有生长安瓿（11），生长安瓿（11）的选晶端位于下部，生长安瓿的两端外侧设置有热电偶（13），金属支杆（7）位于炉体底板（6）外侧的一端设置有调整机构（15），该调整机构（15）包括旋转组件和升降组件。

2.如权利要求1所述的一种生长碘化汞单晶体的立式炉，其特征在于：所加热器是电阻丝（5）。

3.如权利要求1或2所述的一种生长碘化汞单晶体的立式炉，其特征在于：所述炉膛（8）内设置有生长安瓿（11）的导向机构。

4.一种使用权利要求1所述的生长碘化汞单晶体的立式炉的方法，包括如下步骤：

（1）准备工作：将高纯碘化汞多晶粉体置入生长安瓿（11）中，抽真空并封管，在卧式炉中进行赶料，使原料置于原料区； 

（2）原料的固定：将金属支杆（7）通过升降装置升至安装部位，生长安瓿（11）的选晶端朝下固定于金属支杆（7）上，通过金属支杆（7）调整生长安瓿（11）的位置；开启温度控制系统（14），温度控制系统（14）启动下腔体（4）内的加热器，至长晶区温度为100~120℃时开始保温4-6小时驱赶可能滑落的原料；

（3）长晶：启动上腔体（3）内的加热器和温度控制系统（14），升温并调整温度到T原=118~120℃、T长=100~104℃，开启调整机构（15）中的旋转组件，驱动金属支杆（7）转动，使生长安瓿（11）以1-5转/分钟的转速匀速旋转，原料缓慢沉积到生长安瓿（11）长晶区；

（4）成品：经过30天后，获得0.6-1cm³的碘化汞单晶体。