[发明专利]一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法

权利要求书

1.一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：

1)将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备真空室中的转架杆上，该转架杆随转架台转动，同时自转，保证镀膜过程的均匀性；

2)以平面Si靶、C靶作为相应元素的来源，平面Si靶和C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上；

3)将真空室的气压抽至10^-4～10^-3Pa，加热基体，使基体温度为200～250℃；

4)真空室通入Ar气并开负偏压对真空室和基体进行轰击清洗；

5)关闭Ar气，将真空室的气压再次抽至10^-4～10^-3Pa，接着同时通入Ar气和H₂气，H₂气与Ar气流量比为1∶3～1∶6，当真空室气压上升至0.3～0.6Pa，调整负偏压到-100V，打开Si靶和C靶的控制电源，将Si靶的电源功率调至4kW，C靶的电源功率调至0.5～8kW，沉积时间为60～120min，得到氢化硅碳薄膜。

2.如权利要求1所述的磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，所述基体包括单晶Si片、石英片或高速钢片。

3.如权利要求2所述的磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，所述步骤5)结束后，将沉积有氢化硅碳薄膜的单晶硅片或石英片在真空炉内1000℃退火，退火时间为30min。

4.如权利要求1所述的磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，所述步骤4)中，通入Ar气的流量为16～24sccm，当真空室气压达到4～8Pa时保持该气压，开负偏压至-800V～-1000V，对真空室和基体进行轰击清洗，持续20～40min。