[发明专利]梁膜结合微压传感器

权利要求书

1.梁膜结合微压传感器，包括一配置有空腔的基座(4)，基座(4)的空腔与基座(4)上的进气孔(9)相连通，基座(4)空腔内配置有带孔的玻璃环(2)和电路转接板(1)，玻璃环(2)的孔与进气孔(9)对准用环氧树脂胶相粘，电路转接板(1)与基座(4)通过环氧树脂胶牢固粘接，基座(4)空腔内还配置一【100】晶面的全硅微压芯片(5)，全硅微压芯片(5)与玻璃环(2)通过静电键合封接在一起，全硅微压芯片(5)上的五个压焊块(12、13、14、15、16)与电路转接板(1)上的焊盘(7)之间通过超声热压焊用金丝(6)连接，并将引线(8)引出，其特征在于，所说的全硅微压芯片(5)包括一硅片，在硅片的正面腐蚀形成相互垂直的第一梁(11)和第二梁(11’)，在硅片背面腐蚀形成平膜(10)，第一梁(11)和第二梁(11’)与硅片四周的梁共同构成一“田”字梁，形成梁膜结构。

2.根据权利要求1所说的梁膜结合微压传感器，其特征在于，所说的全硅微压芯片(5)的第一梁(11)和第二梁(11’)上沿着【110】晶向在应力最大处布置有电阻条R1、R2、R3和R4，电阻条R1的一端与第一压焊块(12)连接，电阻条R1和R4通过一公共的第五压焊块(16)连接，电阻条R3和R4通过一公共的第四压焊块(15)连接，电阻条R2和R3通过一公共的第三压焊块(14)连接，电阻条R2的另外一端与第二压焊块(13)连接。

3.根据权利要求2所说的梁膜结合微压传感器，其特征在于，所说的电阻条R1、R2、R3和R4组成惠斯通测量电路时，第四压焊块(15)至电源恒压源5V正极或恒流源1.5mA正极，第一压焊块(12)和第二压焊块(13)做完传感器零位补偿后短接在一起为惠斯通测量电路的电源的负极，第三压焊块(14)和第五压焊块(16)为惠斯通测量电路的信号输出端。

4.根据权利要求2或3所说的梁膜结合微压传感器，其特征在于，所说的五个压焊块(12、13、14、15、16)采用钛-铂-金(Ti-Pt-Au)梁式引线技术，亦即与电阻条R1、R2、R3和R4接触的金属为钛，中间的阻挡扩散金属为铂，外界梁金属为金，三者的厚度比为150：300∶1500，单位为 

5.根据权利要求2或3所说的梁膜结合微压传感器，其特征在于，所说的电阻条R1、R2、R3或R4形状结构设计成两折或两折以上的结构。