[发明专利]一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法

权利要求书

1、一种复合式场致发射阴极结构，其特征是该结构以阴极基板(1)为基板，在阴极基板(1)上设有阴极电极(2)，在阴极电极上设有碳纳米管过渡层(3)，在碳纳米管过渡层(3)上设有纳米结构的氧化锌场致发射层(4)组成场致发射阴极，在场致发射阴极上设有隔离体(5)，在隔离体(5)上设导电的阳极基板(6)组成复合式场致发射阴极结构。

2.一种如权利要求1所述的复合式场致发射阴极的制备方法，其特征是制备的方法为：

a).在阴极基板(1)上采用印刷或者镀膜的方法制备阴极电极(2)；

b).在阴极电极上(2)上采用丝网印刷的方法制备碳纳米管过渡层(3)，碳纳米管纤维层厚度在1微米至10微米之间，将其在烧结炉中烘烤10~30分钟，烘烤温度为300℃~500℃；

c).自然冷却基板(1)及碳纳米管过渡层(3)，在冷却后的碳纳米管过渡层(3)上丝网印刷氧化锌发射层(4)，发射层厚度在2微米至10微米之间；

d).将阴极基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)及纳米结构氧化锌发射层(4)组成的场致发射阴极置于烧结炉中烘烤10~30分钟，烘烤温度为300~500度；

e).自然冷却基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)和纳米结构氧化锌场发射层(4)组成的场致发射阴极至室温，形成复合式场致发射阴极结构；

f).在阴极基板(1)上制备隔离体(5)，

g).在隔离体(5)上设置导电的阳极基板(6)，将阴极玻璃基板与阳极玻璃基板封接排气，形成器件内的真空工作环境。