[发明专利]P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管无效
| 申请号： | 200910024962.X | 申请日： | 2009-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101488525A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;华国环;钱钦松;李海松;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘体 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
1、一种P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底(9)，在半导体衬底(9)上面设置有埋氧化层(8)，在埋氧化层(8)上设有P型掺杂半导体区(7)，在P型掺杂半导体区(7)上设有N阱(6)和P型漏区(10)，在N阱(6)上设有P型源区(11)和N型接触区(13)，在N阱(6)的表面设有栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自N阱(6)延伸至P型掺杂半导体区(7)，在N阱(6)表面的P型源区(11)、N型接触区(13)和栅氧化层(3)的以外区域及P型掺杂半导体区(7)表面的P型漏区(10)以外区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、N型接触区(13)、P型源区(11)、多晶硅栅(4)及P型漏区(10)的表面设有氧化层(5)，在P型源区(11)、N型接触区(13)、多晶硅栅(4)和P型漏区(10)上分别连接有金属层(2)，其特征在于在P型掺杂半导体区(7)内设有第一浮置氧化层(121)且第一浮置氧化层(121)位于P型漏区(10)的下方。
2.根据权利要求1所述的P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于在P型掺杂半导体区(7)内设有第二浮置氧化层(122)且第二浮置氧化层(122)位于第一浮置氧化层(121)的下方。
3.根据权利要求1或2所述的P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于第一浮置氧化层(121)的上表面距离P型漏区(10)的下表面在0.5微米到1微米之间。
4.根据权利要求3所述的N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于第一浮置氧化层(121)厚度在0.2微米到0.5微米之间。
5.根据权利要求3所述的P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于第二浮置氧化层(122)与第一浮置氧化层(121)之间距离不超过0.5微米。
6.根据权利要求3所述的P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，其特征在于第一浮置氧化层(121)的长度为漏区(10)宽度的1到1.5倍。
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