[发明专利]离线高透净色低辐射镀膜玻璃及其制造方法

权利要求书

1、一种离线高透净色低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：所述玻璃基片上依次设有氧化钛TiOx、氧化锌ZnOx、金属镍铬NiCr、金属银Ag、氧化镍铬NiCrOx、氧化锌ZnOx、氮化硅SiNx。

2、根据权利要求1所述离线高透净色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的厚度为3mm～15mm，所述氧化钛TiOx的厚度为25nm～35nm，所述氧化锌ZnOx的厚度为15nm～25nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为6nm～10nm，所述金属银Ag的厚度为13nm～17nm，所述氧化镍铬NiCrOx的厚度为10nm～14nm，所述氧化锌ZnOx的厚度为15nm～25nm，所述氮化硅SiNx的厚度为50nm～60nm。

3、根据权利要求1或2所述离线高透净色低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片的厚度为6mm，所述氧化钛TiOx的厚度为30nm，所述氧化锌ZnOx的厚度为20nm，所述金属镍铬NiCr的厚度为8nm，所述金属银Ag的厚度为15nm，所述氧化镍铬NiCrOx的厚度为12nm，所述氧化锌ZnOx的厚度为20nm，所述氮化硅SiNx的厚度为55nm。

4、一种离线高透净色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

A：选择3～15mm玻璃基片，按预定尺寸切割成玻璃片，用清洗机对玻璃片进行清洗；

B：将高真空磁控溅射镀膜设备的基础真空设置为10³Pa，线速度设置为2米/分钟；

C：将玻璃基片送入镀膜室，依次设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为28KW～32KW，在玻璃基片上溅射第一层25nm～35nm的氧化钛TiOx；

D：设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为21KW～25KW，在玻璃基片上溅射第二层15nm～25nm的氧化锌ZnOx；

E：设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2KW～3KW，在玻璃基片上溅射第三层6nm～10nm的金属镍铬NiCr；

F：设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.5KW～5.5KW，在玻璃基片上溅射第四层13nm～17nm的金属银Ag；

G：设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为3.5KW～4.5KW，在玻璃基片上溅射第五层10nm～14nm的氧化镍铬NiCrOx；

H：设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为10KW～14KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm～35nm的氧化锌ZnOx；

I：设置第七高真空磁控溅射镀膜设备的功率为71KW～75KW，在玻璃基片上溅射第七层50nm～60nm的氮化硅SiNx。

5、根据权利要求4所述离线浅绿色低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：

所述步骤A中，玻璃基片的厚度为6mm；

所述步骤C中，设置第一高真空磁控溅射镀膜设备的功率为30KW，在玻璃基片上溅射第一层30nm的氧化钛TiOx；

所述步骤D中，设置第二高真空磁控溅射镀膜设备的功率为23KW，在玻璃基片上溅射第二层20nm的氧化锌ZnOx；

所述步骤E中，设置第三高真空磁控溅射镀膜设备的功率为2.5KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm的金属镍铬NiCr；

所述步骤F中，设置第四高真空磁控溅射镀膜设备的功率为5KW，在玻璃基片上溅射第四层15nm的金属银Ag；

所述步骤G中，设置第五高真空磁控溅射镀膜设备的功率为4KW，在玻璃基片上溅射第五层12nm的氧化镍铬NiCrOx；

所述步骤H中，设置第六高真空磁控溅射镀膜设备的功率为12KW，在玻璃基片上溅射第六层20nm的氧化锌ZnOx；

所述步骤I中，设置第七高真空磁控溅射镀膜设备的功率为73KW，在玻璃基片上溅射第七层55nm的氮化硅SiNx。