[发明专利]具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件有效
申请号: | 200910027433.5 | 申请日: | 2009-05-06 |
公开(公告)号: | CN101645441A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 蔡勇 | 申请(专利权)人: | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01S3/23;H01L23/62;H01L23/48 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215125江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具单胞 失效 防护 功能 连接 大功率 光电 器件 | ||
1.具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件,其中,所述光电 器件的芯片有源区被分隔成至少2个单胞,每个单胞的阳极引线、阴极引线与 对应极性的总引出电极相连,每个单胞与总引出电极之间的电极引线中串接有 至少一个可熔断电阻,使得当所述至少2个单胞中的一个或多个单胞发生短路 时,与所述一个或多个单胞相串接的可熔断电阻因电流热效应引起的温度升高 达到并超过自身熔点而产生熔断,造成所述一个或多个单胞与所述总引出电极 之间的电学隔离,以避免与所述一个或多个单胞对应的短路点扩展蔓延到所述 光电器件的芯片有源区的除所述一个或多个单胞之外的其他单胞。
2.根据权利要求1所述的具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电 器件,其特征在于:所述可熔断电阻贴覆于光电器件的芯片表面,串接了至少 一个可熔断电阻的各个单胞通过芯片内部互联结构与总引出电极连接。
3.根据权利要求1所述的具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电 器件,其特征在于:所述可熔断电阻以桥接形式全部或部分悬浮在芯片表面, 串接了至少一个可熔断电阻的各个单胞通过芯片内部互联结构与总引出电极连 接。
4.根据权利要求1所述的具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电 器件,其特征在于:所述光电器件还包含转移基片,光电器件通过倒装焊形式 与转移基片结合,所述可熔断电阻位于转移基片,各个单胞与至少一个可熔断 电阻串接后通过转移基片的电极引线与芯片上的总引出电极连接。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的具单胞失效自防护功能的多胞连 接大功率光电器件,其特征在于:所述每个单胞的阳极引线或阴极引线中串接 至少一个可熔断电阻;或者每个单胞的阳极引线和阴极引线中均串接至少一个 可熔断电阻。
6.根据权利要求1所述的具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电 器件,其特征在于:所述至少2个单胞相互之间的连接方式为并联或“并串 联”,其中“并串联”是指部分单胞先并联成组,然后再与其它单胞或“单胞 组”串联。
7.根据权利要求1或6所述的具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率 光电器件,其特征在于:所述单胞是指具有光电转换功能的微尺寸单元,单胞 的平面几何形状为规则形状或非规则形状;单胞的排列方式为阵列式排列或非 规则排列。
8.根据权利要求1所述的具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电 器件,其特征在于:所述大功率光电器件指的是功率为1瓦以上的发光二极管 或固态激光器。
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