[发明专利]一种制备Mo(Si1-xMgx)2材料的方法无效
| 申请号： | 200910027487.1 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101555564A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 冯培忠;武杰;王晓虹;刘伟生;强颖怀 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学 |
| 主分类号： | C22C29/18 | 分类号： | C22C29/18;C22C1/05 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 唐惠芬 |
| 地址： | 221116江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 mo si sub mg 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备Mo(Si1-xMgx)2材料的方法，其特征在于：
a、取Mo粉、Si粉和Mg粉按照Mo粉为33.3mol％，Si粉为53.4～66.0mol％，Mg粉为0.7～13.3mol％的比例混合均匀，其中Mo粉纯度大于99％、粒度小于10微米；Si粉纯度大于98％、粒度小于74微米；Mg粉纯度大于98％、粒度小于74微米；
b、将混合均匀的粉末压制成圆柱形粉末压坯；
c、将粉末压坯放入燃烧合成装置中，以-0.001MPa～-0.1MPa真空度抽真空排除燃烧合成装置中的空气后，充入惰性气氛；
d、点燃压坯，发生化学反应得到Mo(Si1-xMgx)2材料。
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