[发明专利]一种非极性面InN材料的生长方法无效
| 申请号： | 200910027926.9 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101560692A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;刘斌;修向前;华雪梅;赵红;傅德颐;韩平;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/18;C30B25/16;C30B29/38;C23C16/18;C23C16/44;C23C16/02;C23C8/24;C23C28/04 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 inn 材料 生长 方法 | ||
1、一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，高In组分指InxGa1-xN材料中In组分x大于0.3。
2、根据权利要求1所述的一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是在MOCVD系统中，先对生长的LiAlO2(100)衬底在500-1050℃温度下进行衬底材料热处理或通入氨气进行表面氮化，再在500-1050℃温度范围下通入载气N2，氨气以及金属有机源，在LiAlO2(100)衬底上合成生长m面的InN薄膜材料以及高In组分m面InGaN材料。
3、根据权利要求2所述的一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是对生长的LiAlO2(100)衬底进行衬底材料热处理为：使用氢气或氮气，在500-800℃温度下进行衬底材料的10s到300s的热处理。
4、根据权利要求2或3所述的一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是经过衬底材料热处理或表面氮化的LiAlO2(100)衬底，在450-600℃温度范围，通入载气N2，氨气以及金属有机In源，生长一层低温InN缓冲层；再在缓冲层上或直接在经过处理的衬底上生长m面InN材料，生长m面InN材料的条件为温度范围500-700℃，生长压力0-700Torr，生长时五族元素和三族元素的摩尔比为500-30000，生长时间根据生长材料的厚度要求控制。
5、根据权利要求4所述的一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是低温InN缓冲层厚度5-100nm。
6、根据权利要求2或3所述的一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是经过衬底材料热处理或表面氮化的LiAlO2(100)衬底，在450-600℃温度范围，通入载气N2，氨气以及金属有机Ga源和金属有机In源，生长低温GaN缓冲层和或低温InN缓冲层；再在缓冲层上或直接在经过处理的衬底上生长高In组分m面InGaN材料，生长m面InGaN材料的条件为温度范围500-700℃，生长压力0-700Torr，生长时五族元素和三族元素的摩尔比为500-30000，生长时间根据生长材料的厚度要求控制。
7、根据权利要求6所述的一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是所述低温GaN缓冲层、低温InN缓冲层厚度5-100nm。
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