[发明专利]百岁兰的地热加温快速生长方法无效

专利信息
申请号: 200910027962.5 申请日: 2009-05-14
公开(公告)号: CN101554132A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 耿蕾;汤诗杰;李权生;顾永华;王洁 申请(专利权)人: 江苏省中国科学院植物研究所
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;A01G31/02
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 代理人: 陆长根
地址: 210014江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 百岁兰 地热 加温 快速 生长 方法
【权利要求书】:

1、百岁兰的地热加温快速生长方法,其特征在于选择百岁兰种子播种,在空气温度、连续晴天在4~6天的环境条件下进行布种,选择定植床的环境要高温、干燥,地下水位充足,光照充足、通风良好、空气湿度较大的栽培环境,定植基质可用大粒赤玉土、小粒轻石、草木灰加清洁的自来水拌匀,经过严格的消毒处理后使用,出苗后按株距进行定植,并在WK-2温度控制器及加热线,平铺在栽培土壤中后,在温度调制下生长,百岁兰的叶片宽度和叶片长度都有快速生长。

2、根据权利要求1所述的百岁兰的地热加温快速生长方法,其特征在于选择适宜的环境建立定植床,定植床土层要求深厚要在1~1.2米,底层预留灌水槽,以满足根系的吸收。

3、根据权利要求1所述的百岁兰的地热加温快速生长方法,其特征在于定植基质可用2份大粒赤玉土、2份小粒轻石、0.5份草木灰加清洁的自来水拌匀后使用,水中可加入少量多菌灵杀菌剂,土壤要求颗粒大、透水性能好、ph值在7.5左右且经过严格的消毒处理。

4、根据权利要求1所述的百岁兰的地热加温快速生长方法,其特征在于准备加热设备(WK-2温度控制器),设置定植床的温度,保持地温恒温在25~35℃。

5、根据权利要求1所述的百岁兰的地热加温快速生长方法,其特征在于将定植苗床的苗按株距30厘米、行距15厘米进行定植。

6、根据权利要求1所述的百岁兰的地热加温快速生长方法,其特征在于定植好的百岁兰幼苗要浇一次定根水,浇灌用水使用清洁的自来水加入1%的高锰酸钾使用,一次浇透。

7、根据权利要求1所述的百岁兰的地热加温快速生长方法,根据一个生长季节结束后观察记录得出:在有地热加温条件下生长的一年生百岁兰小苗的叶片宽度由每年生长1厘米增至2-3厘米,长度由每年生长2厘米增至4-5厘米。

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