[发明专利]磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法

权利要求书

1、一种磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)、抛光预处理衬底，其中衬底为可溶于蒸馏水的可溶性立方结构晶体；

(2)、利用高真空磁控溅射设备在衬底上依次溅射缓冲层、磁致伸缩复合层、保护层；上述磁致伸缩复合层为压磁材料层和反铁磁材料层交替沉积的人工周期多层膜结构，周期数为50～100，上述压磁材料层厚度小于其交换耦合长度，反铁磁层厚度大于其临界厚度，在沉积磁致伸缩复合层时，施加50～500Oe的平面诱导磁场；

(3)、沉积完成后进行热处理以消除内应力；

(4)、再将样品浸入到蒸馏水中使多层膜与衬底剥离。

2、根据权利要求1所述的磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，其特征在于：所述可溶性立方结构晶体为NaCl、KCl。

3、根据权利要求1所述的磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，其特征在于：第(2)步所述压磁材料层为TbFe₂，或Terfenol-D，或Terfecohan。

4、根据权利要求1所述的磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，其特征在于：第(2)步所述反铁磁材料层为FeMn、或IrMn、或NiMn。