[发明专利]热敏表面剪切应力传感器

权利要求书

1.一种热敏表面剪切应力传感器，其特征在于包括加热/热敏线圈(1)、支撑薄膜(2)、隔热沟(3a，3b，3c，3d)、支撑梁(4a，4b，4c，4d)、热敏电极(5a，5b，5c，5d，5e，5f，5g，5h)、电绝缘薄膜(6)、硅衬底(7)和引线电极(8)，通过淀积在所述的硅衬底(7)表面形成支撑薄膜(2)和电绝缘薄膜(6)，该支撑薄膜(2)下面的衬底被刻蚀掉，并对加热/热敏线圈(1)起支撑作用；该支撑薄膜(2)和电绝缘薄膜(6)通过支撑梁(4a，4b，4c，4d)连接，并在电绝缘薄膜(6)上制备出相互独立的热敏电极(5a，5b，5c，5d，5e，5f，5g，5h)，该热敏电极(5a，5b，5c，5d，5e，5f，5g，5h)均匀分布在所述加热/热敏线圈(1)的外边缘，在该加热/热敏线圈(1)与热敏电极(5a，5b，5c，5d，5e，5f，5g，5h)之间为隔热沟(3a，3b，3c，3d)，同时该加热/热敏线圈(1)与热敏电极(5a，5b，5c，5d，5e，5f，5g，5h)分别通过引线电极(8)与外部电路相连；支撑薄膜(2)和加热/热敏线圈(1)均为圆形。

2.根据权利要求1所述的热敏表面剪切应力传感器，其特征在于：使用剥离法在电绝缘薄膜(6)上制备出热敏电极(5a，5b，5c，5d，5e，5f，5g，5h)。

3.根据权利要求1所述的热敏表面剪切应力传感器，其特征在于：加热/热敏线圈(1)由多晶硅或者Pt/Ti构成。

4.根据权利要求1所述的热敏表面剪切应力传感器，其特征在于：支撑薄膜(2)由二氧化硅，或氮化硅，或者二氧化硅和氮化硅两者构成。

5.根据权利要求1所述的热敏表面剪切应力传感器，其特征在于：支撑梁(4a，4b，4c，4d)为四根，所有的支撑梁(4a，4b，4c，4d)均匀分布在支撑薄膜(2)的四周，并且支撑梁(4a，4b，4c，4d)所在的直线通过支撑薄膜(2)的圆心，同时所述加热/热敏线圈(1)的电连接线通过支撑梁(4a，4b，4c，4d)中不相邻的两根支撑梁与引线电极(8)相连。

6.根据权利要求1所述的热敏表面剪切应力传感器，其特征在于：热敏电极(5a，5b，5c，5d，5e，5f，5g，5h)形状为等长弧段，该弧段与加热/热敏线圈(1)具有相同圆心。

7.根据权利要求1所述的热敏表面剪切应力传感器，其特征在于：隔热沟(3a，3b，3c，3d)为圆形，与加热/热敏线圈(1)具有相同圆心。