[发明专利]一种PN型核电池及其制备方法无效
申请号: | 200910030431.1 | 申请日: | 2009-04-10 |
公开(公告)号: | CN101527176A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 陆敏 | 申请(专利权)人: | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G21H1/06 | 分类号: | G21H1/06;H01L21/205;H01L21/283 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215125江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pn 核电 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体核电池器件,尤其涉及一次转换核电池中的辐射伏 特效应核电池,属于能源应用领域。
背景技术
通常来说,电池包括化学电池和物理电池两大类。化学电池主要有干电 池、蓄电池、燃料电池、微生物电池等,这些都是人类生活中见惯的常用电池 类型,但此类电池的能量容积相对较小,无法满足长期供电的需求。物理电池 主要包括太阳能电池和核电池两种,其中核电池也叫同位素电池或原子电池, 是将原子核的放射能直接转换为电能的电池。按照能量源不同,核电池又可分 为热源核电池和辐射能核电池。热源核电池利用的是同位素衰变热,如热电效 应核电池;辐射能核电池是利用的同位素衰变时产生的射线能量,这一能量远 远大于衰变热,如伏特效应核电池。按能量转换过程的次数可分为一次转换核 电池(如热电效应和伏特效应核电池)与二次转换核电池(如辐射-光-伏特效 应核电池),一般一次转换核电池的效率要高于二次转换核电池。本发明涉及 的核电池属于一次转换核电池中的辐射能核电池,即辐射伏特效应核电池,其 工作原理是:当衰变能量射线照到核电池上,因吸收辐射能量而产生辐射电离 效应,在材料中产生很多电子空穴对,电子空穴对在核电池PN结的内建电场 作用下分别向P型和N型侧漂移,在P型侧将收集到大量的空穴,而在N型 侧将收集到大量的电子,将P电极和N电极连接并加上负载,在回路中就会产 生电流,P电极相当于电池的正极,N电极相当于电池的负极。
核废料问题是当今国际上核能进一步发展的最大障碍之一,能够很好的利 用这些特殊的垃圾,变废为宝,将是一件极有意义和价值的事情,将可以利用 的核废料发电,从整体上看,将会产生巨大的经济效益和广泛的社会效益。
核电池具有体积小、重量轻、寿命长(由半衰期决定)、可靠性高、能量 密度高等优点,因而在航空航天、深海、极地等需长期供电且无人值守的场 合、心脏起搏器、微纳机电系统、手机、笔记本电脑等电子产品、甚至电动汽 车等领域有着广泛应用前景。
发明内容
本发明的目的在于提供一种PN型核电池及其制备方法,将同位素与GaN PN半导体器件通过简单而成熟的制备工艺集成,进而将同位素衰变能直接、 高效地转换成电能,加以工业和生活利用。
本发明的技术解决方案是:
一种PN型核电池,其特征在于:包括Al2O3衬底、n型掺杂层、 p型掺杂层、p型接触电极、n型接触电极和同位素层;其中n型掺 杂层是掺杂浓度在1×1017/cm3~1×1019/cm3之间的掺硅GaN层;而p 型掺杂层是掺杂浓度在1×1019/cm3~1×1020/cm3之间的掺镁GaN层。 n型GaN掺杂层设在Al2O3衬底的抛光面,p型掺杂层设置在n型 GaN掺杂层的表面上,p型接触电极和n型接触电极分别设置在p型 GaN掺杂层和n型GaN掺杂层的表面上;纯β同位素层设置在p型 接触电极上。
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