[发明专利]圆片级扇出芯片封装结构

权利要求书

1.一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述芯片包括薄膜介质层Ⅰ(101)，所述薄膜介质层Ⅰ(101)上形成有光刻图形开口Ⅰ(1011)，在所述光刻图形开口Ⅰ(1011)以及薄膜介质层Ⅰ(101)的表面设置有与基板端连接之金属电极(102)和再布线金属走线(103)，在与基板端连接之金属电极(102)表面、再布线金属走线(103)表面以及薄膜介质层Ⅰ(101)的表面覆盖有薄膜介质层Ⅱ(104)，在所述薄膜介质层Ⅱ(104)上形成有光刻图形开口Ⅱ(1041)，在所述光刻图形开口Ⅱ(1041)设置有与芯片端连接之金属电极(105)，将带有IC芯片(106)、金属柱/金属凸点(107)和焊料(108)的芯片倒装在与芯片端连接之金属电极(105)上，形成芯片倒装的圆片，在所述圆片表面注塑封料(109)，在所述与基板端连接之金属电极(102)上设置有焊球凸点(110)，所述芯片封装结构的实现过程如下：

步骤一、准备与圆片尺寸一致的载体圆片，在载体圆片表面覆盖剥离膜，

步骤二、在剥离膜表面覆盖薄膜介质层Ⅰ，并在所述薄膜介质层Ⅰ上形成设计的光刻图形开口Ⅰ，

步骤三、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述薄膜介质层Ⅰ的图形开口Ⅰ以及所述薄膜介质层Ⅰ表面实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线，

重复步骤二和步骤三可实现多层走线， 

步骤四、在步骤三形成的与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及没有实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线的薄膜介质层Ⅰ的表面覆盖薄膜介质层Ⅱ，并在所述薄膜介质层Ⅱ上形成设计的光刻图形开口Ⅱ，

步骤五、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述光刻图形开口Ⅱ实现与芯片端连接之金属电极，

步骤六、将带有IC芯片、金属柱/金属凸点和焊料的芯片按照载体圆片上的图形排列倒装至与芯片端连接之金属电极，回流形成可靠连接，完成芯片倒装，

步骤七、对完成芯片倒装的圆片进行注塑封料并固化，形成带有塑封料的封装体，

步骤八、将载体圆片和剥离膜与带有塑封料的封装体分离，形成塑封圆片，

步骤九、在步骤八形成的塑封圆片表面的与基板端连接之金属电极上植球回流，形成焊球凸点，

步骤十、对形成焊球凸点的带有塑封料的封装体进行单片切割，形成最终的扇出芯片结构。

2.根据权利要求1所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述薄膜介质层Ⅰ(101)和薄膜介质层Ⅱ(104)均为具有光刻特征的树脂。

3.根据权利要求2所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述具有光刻特征的树脂为聚酰亚胺或苯并环丁烯。 

4.根据权利要求1所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述与基板端连接之金属电极(102)、再布线金属走线(103)、与芯片端连接之金属电极(105)均为单层或多层金属。

5.根据权利要求4所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述单层或多层金属为金属铜、镍或钛/铜或钛钨/镍。

6.根据权利要求1所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述金属柱/金属凸点(107)为铜或镍。

7.根据权利要求1所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述焊料(108)为纯锡或锡基焊料合金。

8.根据权利要求1所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述焊球凸点(110)为锡基合金或纯锡焊料。

9.根据权利要求1所述的一种圆片级扇出芯片封装结构，其特征在于所述塑封料与芯片完全覆盖，或与芯片等高覆盖。