[发明专利]基于未知材料基板的微波在片测试方法

权利要求书

1.基于未知材料基板的微波在片测试方法，其特征是该方法包括如下步骤：

一、在基板上采用集成电路薄膜工艺或厚膜工艺制备适合于微波在片测试的直通反射传输线法TRL校准件、开路谐振器及待测元件；

二、用矢量网络分析仪的直通反射传输线法TRL全双端口校准功能校准微波在片测试系统；

三、将开路谐振器连接至校准好的微波在片测试系统，在矢量网络分析仪中读出开路谐振器的散射参数、反射参数和传输参数，传输参数幅值的差分曲线的第一过零点就是开路谐振器的谐振点，这一点所在的频率就是开路谐振器的谐振频率；

四、根据测量所得的谐振频率计算基板等效介电常数、传输线阻抗；

五、将待测元件连接至校准好的微波在片测试系统，在矢量网络分析仪中读出开路谐振器的散射参数，散射参数的参考阻抗即步骤四中得到的传输线阻抗；

六、采用散射参数阻抗变换的方法得到50Ω阻抗的标准散射参数。

2.根据权利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片测试方法，其特征是基板结构为：360um蓝宝石+2um氮化镓+0.15um钛酸锶钡，蓝宝石衬底介电常数为5.5，氮化镓介电常数为9.0。

3.根据权利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片测试方法，其特征是在基板上采用集成电路薄膜工艺或厚膜工艺制备适合于微波在片测试的直通反射传输线法TRL校准件、开路谐振器及待测元件的图形均采用CPW结构，其中线宽120um，缝隙25um，直通线长度为250um，两根长线长度分别为2090um和3810um，开路线长度1630um。

4.根据权利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片测试方法，其特征是所述的传输参数幅值的差分曲线的第一过零点求得谐振频率为18.3GHz。

5.根据权利要求1所述的基于未知材料基板的微波在片测试方法，其特征是所述的在矢量网络分析仪中读出开路谐振器的散射参数，散射参数的参考阻抗为36.7Ω。