[发明专利]一种场氧化隔离制造方法

说明书

【技术领域】

本发明是关于一种半导体制造方法，特别是关于一种半导体制造过程中形成场氧化隔离的制造方法。

【背景技术】

众所周知，一片半导体集成芯片可能包括许多的电容、电阻等各种元器件，在制造半导体集成芯片时，需要在一片硅片上形成不同的元器件，而为避免相邻的元器件相互干扰或者发生短路，通常需要在不同的元器件之间设置隔离区使器件之间不会互相影响。

传统的在元器件之间形成隔离区的一种方法是局部场氧化隔离(LOCOS)法。该局部场氧化隔离工艺其基本制程是：以炉管方式在裸硅衬底表面生长一层薄的热氧化层，接着同样以炉管方式生长一层氮化硅，然后通过光刻和蚀刻去除场区上的热氧化层和氮化硅，在场区形成开口露出硅衬底，然后在裸露的硅衬底上形成场氧化层，再去除硅表面所有的氮化硅，在硅片表面形成有源区(器件所在区域)和场区(隔离区)。

随着集成电路的大规模化，半导体制程的集成度越来越高，整个半导体制造工艺也越来越复杂，整个制程中会大量使用各种湿法腐蚀，例如使用湿法腐蚀形成不同厚度的栅氧化层等，而这些腐蚀通常都不是选择性的，所以场氧的厚度不断减少，最终导致场开启不足，场管漏电，失去隔离的作用，使电路失去功能。解决场氧厚度不断减少的方法可以提高初始场氧化层的厚度，但在传统场氧化隔离工艺中，形成场氧化层时会产生鸟嘴现象，而且鸟嘴的有效长度和场氧的厚度是成正比的，若增加场氧的厚度，则鸟嘴的长度也会变长，会占用有源区的面积，使有源区的有效面积减少，导致原有的电路设计规则无法实现。

另外，传统的场氧化隔离工艺所形成的场氧化层有50％以上的厚度暴露在硅表面以上，场氧和硅平面的落差很大，这样在形成堆叠的器件结构(比如多晶-介质-多晶电容结构)时，由于场氧的高度较高，为满足整体厚度的要求，堆叠器件结构上方的介质层会很薄，在后续制程中如使用化学机械研磨等工艺时，由于过刻蚀量的增大，化学机械淹没工艺的波动很容易将堆叠结构上方很薄的介质层蚀刻完全使堆叠结构裸露出来并继续蚀刻，将造成电容等高台阶结构的损伤。

因此，需要提供一种新的方法，以克服现有技术的前述缺陷。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种形成场氧化隔离的方法，既可以控制鸟嘴的长度，保持有源区的面积，又可提高场氧化层的厚度。

本发明的另一目的在于提供一种形成场氧化隔离的方法，能够减小化学机械研磨工艺中高台阶器件结构的损伤。

为达成前述目的，本发明一种场氧化隔离制造方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上形成一层氧化层，然后在氧化层上形成一层氮化硅层；通过掩模光刻以及腐蚀在预定区域对氧化层及氮化硅层进行蚀刻，以形成开口，露出硅衬底；在开口的硅衬底上形成一层热氧化层，然后蚀刻掉该热氧化层，在硅衬底表面形成浅槽；在整个硅片表面生长一层氮化硅膜，蚀刻该氮化硅膜，在浅槽的内壁形成氮化硅侧墙；然后在浅槽内生长场氧化层。

为达成前述另一目的，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上形成一层氧化层，然后在氧化层上形成一层氮化硅层；通过掩模光刻以及腐蚀在预定区域对氧化层及氮化硅层进行蚀刻，以形成开口，露出硅衬底；在开口的硅衬底上形成一层热氧化层，然后蚀刻掉该热氧化层，在硅衬底表面形成浅槽；然后在浅槽内生长场氧化层。

与现有技术相比，本发明的场氧化隔离制造方法，由于在硅衬底表面形成的浅槽内壁形成有氮化硅，这层氮化硅侧墙能控制鸟嘴的生长，使有效鸟嘴长度不受场氧化层厚度的影响，而只取决于氮化硅的厚度，这样可以通过调整氮化硅的厚度保持鸟嘴长度不变，保持有源区面积不变，同时场氧化层的厚度可以得到大幅度的提高。

另外，本发明的形成场氧化隔离的方法，由于先在硅衬底表面形成浅槽，再在浅槽内形成场氧化层，本发明提供的场氧隔离为埋入式结构，只有不到30％厚度的场氧结构高于硅平面，这样场氧与硅平面的落差较小，在同样整体厚度的情况下，堆叠的器件结构上方的介质层相对于现有技术可以形成的较厚，可以避免后续制程中由于过刻蚀量的增大造成高台阶器件结构的损伤。

再者，本发明的场氧化层是埋入式的，所以大部分场氧的面积在硅表面以下，这样从场管漏端到源端的电力线长度会变长，因此场管下方的电势线会变的很稀疏，提高了场管的击穿电压。

【附图说明】

图1为本发明形成场氧化隔离的工艺中在硅衬底上蚀刻出场隔离区的示意图。

图2为本发明形成场氧化隔离的工艺中在场隔离区的硅衬底上形成热氧化层的示意图。

图3为本发明形成场氧化隔离的工艺中去除场隔离区的热氧化层形成浅槽的示意图。