[发明专利]基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法

权利要求书

1.基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其工艺步骤如下：

步骤1、清洗硅片表面的有机物，清洗液选H₂SO₄和H₂O₂混合溶液；再用去离子水清洗硅片，然后烘干，烘干温度为：60℃～100℃；

步骤2、用丝网印刷的方法将光敏液态材料印刷在硅片表面上，形成掩膜图形，硅片表面所形成的掩膜图形厚度为20～100um；所述光敏液态材料对波长100nm～900nm的紫外光具有光敏性能，粘度为500～1000cps；

步骤3、将硅片表面上丝网印刷的液态材料用紫外光照射固化，限制液态材料的铺展，得到固化精细掩膜图形；硅片的温度保持在40℃～70℃之间；

步骤4、烘干，将固化后的掩膜放到40℃以上的环境中烘烤，去除掩膜中存留的溶剂，烘烤的温度上限以不使掩膜变形为限。

2.根据权利要求1所述基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其特征是：所述H₂SO₄和H₂O₂混合溶液，H₂SO₄浓度为质量百分比90％～98％，H₂O₂浓度为质量百分比25％～32％，两组分体积比为：H₂SO₄溶液∶H₂O₂溶液＝50∶1～80∶1。

3.根据权利要求1所述基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其特征是：所述光敏液态材料，其组分为光固化剂、溶剂和低分子聚合物，各组分质量百分比为：光固化剂40％～20％，溶剂30％～20％：低分子聚合物60％～30％。

4.根据权利要求3所述基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其特征是：所述光固化剂为选苯偶姻和苯偶酰缩酮的衍生物、苯乙酮衍生物、芳香酮或酰基磷化氢化合物；

所述溶剂为丁二醇、新戊二醇、乙二醇、二甘醇、三甘醇、聚乙二醇或二丙烯酸酯；

所述低分子聚合物为环氧树脂、聚胺脂丙烯酸脂、聚酯丙烯酸脂、聚醚丙烯酸脂或环氧丙烯酸脂。

5.根据权利要求3或4所述基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其特征是：所述光敏液态材料中加入增厚剂SiO₂，SiO₂加入量为所述光敏液态材料的质量百分比5％～12％。

6.根据权利要求1所述基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其特征是：所述紫外光照射固化，采用的紫外光源是：

中心波长在100nm～900nm范围内的激光器、半导体二极管、高压汞灯或超高压汞灯，

或中心波长在100nm～900nm范围内的激光器、半导体二极管、高压汞灯或超高压汞灯中的两种或多种光源组合而成的组合型光源。