[发明专利]一种同步整流型转换器的死区时间调整装置有效

专利信息
申请号: 200910032618.5 申请日: 2009-06-29
公开(公告)号: CN101630953A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 朱伟民;韩基东;雍广虎;王一六 申请(专利权)人: 无锡市晶源微电子有限公司
主分类号: H03K17/28 分类号: H03K17/28;H03K19/0185;H02M3/155
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 214028江苏省无锡市国家高*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 同步 整流 转换器 死区 时间 调整 装置
【权利要求书】:

1.一种同步整流型转换器的死区时间调整装置,其特征在于该装置包括控制逻辑器件、功率输出电路的第一功率输出管(MP)和第二功率输出管(MN)、PMOS管和NMOS管与死区时间调整电阻组成的死区时间调整电路;所述控制逻辑器件包括第一反相器(INV1)、第二反相器(INV2)、第三反相器(INV3)、第一与非门(ND1)和第十九NMOS管(N19);第一反相器(INV1)的输入端接信号(SN),第一反相器(INV1)的输出端接第一与非门(ND1)的一个输入端,第一与非门(ND1)的另一个输入端接第三反相器(INV3)的输出端,第一与非门(ND1)的输出端接第二反相器(INV2)的输入端和第十九NMOS管(N19)的栅端,第二反相器(INV2)的输出端接第十九NMOS管(N19)的漏端和第十八NMOS管(N18)的栅端;第三反相器(INV3)的输入端接第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)、第十五电阻(R15)、第十六电阻(R16)、第十七电阻(R17)和第十八电阻(R18)的连接点;所述PMOS管、NMOS管的漏端分别与死区时间调整电阻连接;

对于功率输出电路的第一功率输出管(MP)而言,死区时间调整电阻的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)串接在第一PMOS管(P1)的漏端与第一NMOS管(N1)之间;

第六电阻(R6)的一端分别与第七电阻(R7)、第十一电阻(R11)、第十二电阻(R12)、第十五电阻(R15)、第十六电阻(R16)、第十七电阻(R17)、第十八电阻(R18)的一端星形连接,第六电阻(R6)的另一端接第二PMOS管(P2)的漏端;

第一电阻(R1)和第四电阻(R4)的连接点接第一PMOS管(P1)的漏端,第四电阻(R4)的另一端接第二PMOS管(P2)的栅端,第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的连接点分别接第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)的栅端;

第三电阻(R3)和第五电阻(R5)的连接点分别接第一NMOS管(N1)的漏端、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)的栅端,第五电阻(R5)的另一端接第六NMOS管(N6)、第七NMOS管(N7)的栅端;

第二电阻(R2)和第三电阻(R3)的连接点接第八NMOS管(N8)的栅端,第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的连接点接第九NMOS管(N9)的栅端;第十一电阻(R11)的另一端接第二NMOS管(N2)的漏端,第十二电阻(R12)的另一端接第三NMOS管(N3)的漏端,第十三电阻(R13)的一端接第四NMOS管(N4)的漏端,第十四电阻(R14)的一端接第五NMOS管(N5)的漏端,第十五电阻(R15)的另一端接第六NMOS管(N6)的漏端,第十六电阻(R16)的另一端接第七NMOS管(N7)的漏端,第十七电阻(R17)的另一端接第八NMOS管(N8)的漏端,第十八电阻(R18)的另一端接第九NMOS管(N9)的漏端;

对于功率输出电路的第二功率输出管(MN)而言,所述死区时间调整电阻的第十九电阻(R19)、第二十电阻(R20)、第二十一电阻(R21)、第二十二电阻(R22)串联连接在第七PMOS管(P7)的漏端与第十NMOS管(N10)的漏端之间;

第二十六电阻(R26)的一端与第二十八电阻(R28)、第三十电阻(R30)、第三十二电阻(R32)、第三十四电阻(R34)、第三十六电阻(R36)、第三十八电阻(R38)、第四十电阻(R40)、第四十一电阻(R41)的一端星形连接,

第十九电阻(R19)与第二十四电阻(R24)的连接点接第七PMOS管(P7)的漏端和第十三PMOS管(P13)、第十四PMOS管(P14)的栅端,第二十三电阻(R23)和第二十四电阻(R24)的连接点接第八PMOS管(P8)的漏端与第十一PMOS管(P11)、第十二PMOS管(P12)的栅端,第二十三电阻(R23)另一端接第九PMOS管(P9)、第十PMOS管(P10)的栅端,第十九电阻(R19)和第二十电阻(R20)的连接点接第十五PMOS管(P15)、第十六PMOS管(P16)与第十七NMOS管(N17)的栅端,

第二十六电阻(R26)的另一端接第九PMOS管(P9)的漏端,第二十八电阻(R28)的另一端接第十一PMOS管(P11)的漏端,第三十电阻(R30)的另一端接第十三PMOS管(P13)的漏端,第三十二电阻(R32)的另一端接第十五PMOS管(P15)的漏端,

第二十二电阻(R22)和第二十五电阻(R25)的连接点接第十NMOS管(N10)的漏端和第十一NMOS管(N11)的栅端,第二十五电阻(R25)的另一端接第十二NMOS管(N12)、第十三NMOS管(N13)的栅端,第二十一电阻(R21)和第二十二电阻(R22)的连接点接第十四NMOS管(N14)、第十五NMOS管(N15)的栅端,第二十电阻(R20)和第二十一电阻(R21)的连接点接第十六NMOS管(N16)的栅端;第三十四电阻(R34)的另一端接第十一NMOS管(N11)的漏端,第三十六电阻(R36)的另一端接第十三NMOS管(N13)的漏端,第三十八电阻(R38)的另一端接第十五NMOS管(N15)的漏端,第四十电阻(R40)的另一端接第十七NMOS管(N17)的漏端,第四十一电阻(R41)的另一端接第十八NMOS管(N18)的漏端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡市晶源微电子有限公司,未经无锡市晶源微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910032618.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top