[发明专利]多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构无效

专利信息
申请号: 200910032629.3 申请日: 2009-06-30
公开(公告)号: CN101586914A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 施海明;陆景刚;张锦根;鄂林 申请(专利权)人: 镇江环太硅科技有限公司
主分类号: F27B14/20 分类号: F27B14/20;C01B33/021
代理公司: 镇江京科专利商标代理有限公司 代理人: 夏哲华
地址: 212216江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 多晶 铸锭 设备 检测 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及多晶硅的生产设备,具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。

背景技术

多晶铸锭设备的中用来加热熔融硅原料的设备通常如附图1所示,包括有:坩埚1、位于坩埚外侧的护板2、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞条组合4、位于塞条组合下方的底板组合5、位于底板组合下方的隔热板6及位于隔热板下方的检测丝7。其工作过程中,如果发生漏硅,坩埚1中的硅液经过护板2和石墨底板3的间隙流出,沿塞条组合4和底板组合5的边缘往下淌,后经过隔热板6的溢流孔,最后掉落到漏硅检测丝7上,检测丝探测到漏硅后,由PLC发出报警信号,报警器报警提示操作工处理。从上面可以看出,如果发生漏硅,硅液首先会在坩埚护板2和坩埚1的间隙间积聚,即使有少量硅液从石墨底板3和护板2间的间隙溢出,也会被塞条组合4和底板组合5吸收,不能被检测系统第一时间检测到,因而会延误处理,造成设备较大的损失。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,提供一种能够及时检测到设备漏硅、减少设备损失的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。

本发明的多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚外侧的护板、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞条组合、位于塞条组合下方的底板组合、位于底板组合下方的隔热板及位于隔热板下方的检测丝,其特征是:所述石墨底板、塞条组合及底板组合的边缘设置有上下贯通的溢流孔。

本发明在传统设备的结构基础上,在石墨底板,塞条组合和底板组合上增加了溢流孔。如果发生漏硅可以在第一时间溢流到隔热板及检测丝上而被检测到,使工作人员能第一时间采取措施,避免更大的损失。

附图说明

图1是本发明结构所应用的多晶硅铸锭设备的部件结构示意图;

图2是本发明结构中的石墨底板的结构示意图;

图3是本发明结构中的塞条组合的结构示意图;

图4是本发明结构中的底板组合的结构示意图。

具体实施方式

如图所示,该多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚1、位于坩埚外侧的护板2、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板3、位于石墨底板下方的塞条组合4、位于塞条组合下方的底板组合5、位于底板组合下方的隔热板6及位于隔热板下方的检测丝7,石墨底板3、塞条组合4及底板组合5的边缘设置有上下贯通的溢流孔8,该结构在工作过程中,当坩埚内的硅液发生泄漏时,硅液可以从溢流孔8迅速滴出而被检测丝检测到,以便采取相应措施,防止更大损失。

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