[发明专利]混频器

权利要求书

1.一种混频器，其特征在于：所述的混频器包含有混频级和缓冲放大滤波级两级级联，其中混频级包括混频主体电路及动态电荷泄放电路，缓冲放大滤波级电路的结构为一基于运放的低通滤波器，所述混频主体电路包括：

第一电流源(S1)、第二电流源(S2)、第一射频输入NMOS管(M1)、第二射频输入NMOS管(M2)、第三射频输入NMOS管(M3)、第四射频输入NMOS管(M4)和第一开关级NMOS管(M5)、第二开关级NMOS管(M6)、第三开关级NMOS管(M7)和第四开关级NMOS管(M8)；所述第一电流源(S1)的一端接地，另一端分别接第一射频输入NMOS管(M1)和第三射频输入NMOS管(M3)的源极，所述第二电流源(S2)的一端亦接地，另一端分别接第二射频输入NMOS管(M2)和第四射频输入NMOS管(M4)的源极；所述第一开关级NMOS管(M5)和第二开关级NMOS管(M6)的漏极接VDD，其源极分别接到第一射频输入NMOS管(M1)和第二射频输入NMOS管(M2)的漏极，第一开关级NMOS管(M5)栅极接正向的本振信号(LO+)；第二开关级NMOS管(M6)的栅极接反向的本振信号(LO-)；所述第三开关级NMOS管(M7)和第四开关级NMOS管(M8)的漏极亦接VDD，其源极分别接到第三射频输入NMOS管(M3)和第四射频输入NMOS管(M4)的漏极，第三开关级NMOS管栅极接反相的本振信号(LO-)；

正向的射频信号(RF+)接第一射频输入NMOS管(M1)和第二射频输入NMOS管(M2)的栅极，反相的射频信号(RF-)接第三射频输入NMOS管(M3)和第四射频输入NMOS管(M4)的栅极。

2.根据权利要求1所述的混频器，其特征在于：所述缓冲放大滤波级电路由差分输出运算放大器(I5)、与差分输出运算放大器(I5)的正向输入端相连的第一电阻(R1)、一端连接于差分输出运算放大器(I5)的正向输入端，另一端与差分输出运算放大器(I5)的第一输出端相连并与第二电阻(R2)并联的第一电容(C1)、一端连接于差分输出运算放大器(I5)的正向输入端，另一端与差分输出运算放大器(I5)的第一输出端相连并与第一电容(C1)并联的第二电阻(R2)、与差分输出运算放大器(I5)的反向输入端相连的第三电阻(R3)、一端连接于差分输出运算放大器(I5)的反向输入端，另一端与差分输出运算放大器(I5)的第二输出端相连并与第四电阻(R4)并联的第二电容(C2)组成。

3.根据权利要求2所述的混频器，其特征在于：所述混频器还包括动态电荷泄放电路，该电路第一开关级NMOS管(M5)、第二开关级NMOS管(M6)、第三开关级NMOS管(M7)和第四开关级NMOS管(M8)的源端分别接有第一动态电荷泄放模块(I1)、第二动态电荷泄放模块(I2)、第三动态电荷泄放模块(I3)和第四动态电荷泄放模块(I4)，其中第一开关级NMOS管(M5)接有的动态电荷泄放模块(I1)的电路由第九射频输入NMOS管、第三电容(C3)和第五电阻(R5)组成，反相的本振信号(LO-)接到第三电容(C3)的一端，第三电容(C3)的另一端接第九射频输入NMOS管的栅极和第五电阻(R5)的一端，第五电阻(R5)的另一端接地；第一射频输入NMOS管(M1)的作用是当所在支路被关断时泄放晶体管存储的电荷，其源端接地，漏端接开关级晶体管的源端。