[发明专利]一种止水帷幕渗漏通道隐患的探测方法有效

专利信息
申请号: 200910033689.7 申请日: 2009-06-25
公开(公告)号: CN101639540A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 谢兴楠;程知言;邹宝祥;朱德兵;蒋齐云;卢明;车平;周建华 申请(专利权)人: 江苏华东地质建设集团有限公司
主分类号: G01V3/02 分类号: G01V3/02
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 楼高潮
地址: 210007江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 止水 帷幕 渗漏 通道 隐患 探测 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种地球物理探测方法,具体地说是涉及一种止水帷幕渗漏通道隐患定位的探测方法。 

背景技术

由于土地价格越来越昂贵,充分利用地下空间已成为城市建筑开发的一种趋势,深基坑的开挖和支护在高层建筑和地铁等工程上广泛使用。由于施工机具、周边环境、地质水文等条件所限,止水帷幕往往不能做到完全的搭接咬合,因此砂类土地区基坑“十坑九漏”的现状很难得到根本改观。在基坑开挖过程中,常常会出现渗漏险情。如果能够在止水帷幕形成后基坑未开挖前,检测止水帷幕质量,探测止水帷幕上的渗漏隐患,就可以避免开挖施工时出现漏水险情,保证工程建设安全。在基坑未开挖前国内外公认较好的检测方法是对帷幕内基坑进行抽水试验来确定渗漏隐患位置,但这种方法施工检测复杂,很少为施工工地使用。由于止水帷幕施工场地水文地质条件复杂,止水帷幕深埋于地下,帷幕内侧有支护桩、工型桩等建筑设施,在地球物理探测领域,基坑未开挖前的止水帷幕渗漏隐患检测为国际公认难题,国内外还没有有效技术来实现有效探测。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种止水帷幕渗漏通道隐患定位的探测方法。 

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种探测止水帷幕渗漏通道隐患的方法,其特征在于探测方法步骤如下: 

(1)在帷幕基坑中央垂直埋设位于潜水面下0.5-1m深度的铜制供电电极A,在基坑外距离帷幕2-3倍基坑深度h的位置设置一供电电极B,并埋入地下保证接地良好;在待测帷幕外侧离帷幕边墙0.1~0.5m水平距离垂直钻出直径50~150mm的探 测孔,孔深超出帷幕深度h的1~2m;在探测孔中放入极距为10~30cm的测量电极M、N并通过导线连接到电子自动补偿仪器输入端口; 

(2)电子自动补偿仪和电极自检完成后,从探测孔孔底开始测量,然后逐步向孔口测量M、N之间的电位差,测量时首先通过M、N电极测量其深度点x处两电极之间的自然电位差ΔV0(x),经过电子自动补偿仪对自然电位进行补偿,补偿后使ΔV0(x)读数为零;电子自动补偿仪通过A、B电极的供入电流I(x),由电子自动补偿仪测量电极M、N在同样深度x处电位差V1(x),并用I(x)归一化,然后在同一个深度坐标图上绘出【ΔV0(x)】和【V1(x)/I】随深度x变化曲线,V1(x)/I曲线上出现正负或负正过渡现象,正负之间的零值点对应为渗漏通道隐患的存在位置和深度,而ΔV0(x)作为渗漏隐患评价的参考参数。 

上述用于测量电极M、N之间自然电位和供电后电位的仪器是电子自动补偿仪,它是一种地球物理探测仪器,或者用具有自然电位补偿功能的电传勘探仪器。 

上述的供电电极A作为正极,供电电极B作为负极,形成人工电场来拟合基坑渗漏水流场。 

上述的探测孔中放置测量电极M、N来实施电场测量,以保证渗漏隐患位置探测的转度。 

本发明探测方法的基本原理如下: 

埋置于地下的止水帷幕形成后,电阻率高的帷幕将电阻率相对较低的土层介质隔离开来,质量合格的帷幕渗透系数小、强度大,存在渗漏隐患的局部帷幕介质,渗透系数大、强度低。由于富含电解质的地下水的存在,使得渗透系数大的帷幕介质电阻率较低,往往接近于土层介质的电阻率,而低电阻率介质在均匀电场作用下存在集流效应,在渗漏隐患部位形成集流通道。该发明专利的基本原理是采用一定方法向地下供电,由电流场来拟合渗流场或水流场的分布特征,通过测量电场的异常分布特征来反映地下水流场的渗流特征,从而间接发现止水帷幕渗漏隐患。同时,由于隐患位置与周边帷幕在渗透系数或孔隙度上存在差异,为带电离子的产生选择吸附或过滤作用提供了环境,有可能在其附近形成自然电场异常,因此自然电位数据能作为一个可选参考参数。

止水帷幕渗漏探测仪器由电子自动补偿仪、电源、电位测量输入接口、高压输出接口和导线等组成,用于测量位于测量钻孔中极距相对固定的两电极M、N之间的自然电位差ΔV0(x),对自然电位差进行补偿,补偿后再测量供电电流场作用下的两电极之间电位差V1(x)并同时测量记录当前供电电流强度I。。 

根据地表点电源场的电流分布理论,由A、B两电极供电,电流主要分布在AB距离一半所代表的深度范围内,因此埋置于帷幕外的B极应尽可能远离帷幕,距离大于帷幕深度h的2-3倍为宜。 

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