[发明专利]一种亚微米级四方管状Sb2Se3的制备方法

权利要求书

1.一种亚微米级四方管状Sb₂Se₃的制备方法，该亚微米级四方管状Sb₂Se₃属正交晶系的单晶，晶胞参数为a＝11.633b＝11.78c＝3.985其结构为亚微米级四方结构，管长10-20μm，管口宽0.5-1μm，管壁厚100-200nm，沿(001)方向生长，其特征在于制备该亚微米级四方管状Sb₂Se₃包括以下步骤：首先，在室温下将物质的量比为2∶3的SbCl₃和Na₂SeO₃加入到丙三醇液体中，磁力搅拌0.5-2个小时，放入微波反应器中加热8-10min；冷却后，将产物用乙醇和水反复交替洗净，在真空干燥箱中干燥后即得亚微米级Sb₂Se₃四方管。

2.根据权利要求1所述的亚微米级四方管状Sb₂Se₃的制备方法，其特征在于微波反应器的工作频率为2.45GHz、功率为800W。

3.根据权利要求1或2所述的亚微米级四方管状Sb₂Se₃的制备方法，其特征在于微波反应器采用40s工作，60s停止的循环加热模式。