[发明专利]一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液

权利要求书

1、一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于它的配方由以下部分组成：正磷酸盐、苛性碱和异丙醇。

2、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于它的制备方法为：将上述组成部分按照一定的浓度比溶解于去离子水之中，而获得单晶硅制绒腐蚀溶液，将该腐蚀溶液加热至70-90℃之间，然后将经过切割后、无绒面的单晶硅片放入溶液中进行腐蚀，腐蚀时间为15-40分钟之间，通过优化上述化学试剂的浓度配比、腐蚀温度和反应时间从而获得大小均匀、表面一致的绒面单晶硅片；面积为125mm×125mm的单晶硅片在经过上述混合液腐蚀制绒后，每片的减薄量(制绒前后的质量差)在0.2-1.0g之间。

3、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于所述的正磷酸盐可以为正磷酸钠(Na₃PO₄)。

4、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于所述的正磷酸盐还可以为正磷酸钾(K₃PO₄)。

5、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于所述的苛性碱可以为氢氧化钠(NaOH)。

6、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于所述的苛性碱还可以为氢氧化钾(KOH)。

7、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于所述的正磷酸盐的浓度在0.1-5wt％之间；苛性碱的浓度在0.5-5wt％之间；异丙醇的浓度在2-8wt％之间。

8、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于当本发明应用于连续的、大规模工业化生产时，每一批硅片反应后，在对下一批硅片进行制绒前，需要补充一定量的苛性碱，其量为：每硅片补充0.4-0.8g；正磷酸盐不需要补充；而异丙醇的补充量要视其挥发情况而定，其量为：每硅片补充1-6mL之间。

9、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的正磷酸盐和苛性碱的混合溶液，其特征在于它适用于P型单晶硅片，也适用于N型单晶硅片。