[发明专利]具有极低负介电的液晶混合物

权利要求书

1.具有极低负介电的液晶混合物，其特征是含有通式I、II、III、IV、V 类液晶化合物，各类化合物结构通式如下：

其中，R₁、R₂、R₅、R₆、R₇、R₈各自独立地选自C_nH_2n+1或C_nH_2n+1O，R₃、 R₄、R₉、R₁₀均为C_nH_2n+1，n为1～7的整数；

Z为单键、-C₂H₄-、-COO-或-C≡C-基团；

L₁、L₂各自独立地表示-F或氰基，

分别单独地选自亚苯基或环己烷基，

选自亚苯基、环己烷基、氟代亚苯基、氰代亚苯基或

m为1或2；

m1、m2、m3、m4各自独立地选自0或1，并且，m1和m2不同时为0，m3 和m4不同时为0；

m5为0、1或2；

各类化合物的重量百分含量为：通式I化合物70％-90％、通式II化合物大 于0小于等于20％、通式III化合物5-25％、通式IV化合物大于0小于等于10％、 通式V化合物1-15％。

2.根据权利要求1所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式I类化合物为Ia～Ip的一种或多种化合物：

3.根据权利要求2所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式I类化合物为式Ia、Ib、Ie、Ih、Ik、Im、Io、Ip中的一种或多 种化合物。

4.根据权利要求3所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式I类化合物为式Ia、Ih、Ik、Io、Ip中的一种或多种化合物。

5.根据权利要求1所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式II类化合物为式IIa～IIc中的一种或多种化合物：

6.根据权利要求5所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式II类化合物为式IIa类中的至少一种化合物。

7.根据权利要求1所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式III类化合物为式IIIa～IIIg中的一种或多种化合物：

8.根据权利要求7所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的通 式III类化合物为IIIa、IIIb、IIIc、IIId、IIIf中的至少一种化合物。

9.根据权利要求8所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式III类化合物为式IIIa、IIIb、IIIf中的至少一种化合物。

10.根据权利要求1所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说的 通式IV类化合物为式IVa～IVi中的一种或多种化合物：

11.根据权利要求10所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是所说 的通式IV类化合物为式IVa、IVb、IVe、IVg、IVh中一种或多种化合物。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的具有极低负介电的液晶混合物，其 特征是所说的通式V类化合物为式Va、Vb中的一种或多种化合物：

13.根据权利要求1所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是含有由 偶氮类或蒽醌类的染料单体配制的二色性组合染料，液晶化合物与所说的二色性 组合染料的重量比为100∶0.5～10。

14.根据权利要求13所述的具有极低负介电的液晶混合物，其特征是液晶 化合物与所说的二色性组合染料的重量比为100∶0.8～8。