[发明专利]半导体温差发电装置无效

专利信息
申请号: 200910035933.3 申请日: 2009-09-28
公开(公告)号: CN101707452A 公开(公告)日: 2010-05-12
发明(设计)人: 吉敏红 申请(专利权)人: 海安县奇锐电子有限公司
主分类号: H02N11/00 分类号: H02N11/00;H01L35/28
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 卢霞
地址: 226600 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 温差 发电 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发电装置,具体地说,涉及一种利用半导体温差进行发电的装置,属于发电领域。

背景技术

半导体温差发电可将热能直接转化为电能,即使在只有微小温差存在的情况下也能应用,是适用范围很广的绿色环保型能源,它无需化学反应且无机械移动部分,因而具有无噪音、无污染、无磨损、重量轻、使用寿命长等种种优点,被广泛地用于工业余热、废热的回收利用、航天辅助电力系统中。

半导体温差发电模块是根据塞贝克效应制成的,即把两种半导体的接合端置于高温,处于低温环境的另一端就可以得到电动势E:

E=αΔT=α(T2-T1)    (1)

式中,α为塞贝克系数,其单位为V/K或μV/K,塞贝克系数是由材料本身的电子能带结构决定的。

目前现有的半导体温差发电系统结构都比较复杂,不适合大规模推广应用。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术存在的问题,提供一种结构简单的能够利用半导体温差进行发电的装置。

本发明的半导体温差发电系统装置,包括上下两层绝缘陶瓷基片、固定在上下基片内的散热铜片、固定在金属散热片内侧的半导体阵和阴、阳极导线。

优选地,所说的半导体阵由P型半导体和N型半导体组成。

本发明的半导体温差发电装置具有如下技术效果:

1、能够利用废热直接将其转化为电能,实现能源的回收再利用;

2、无化学反应和机械运动,无噪声、无污染、无磨损、寿命长;

3、体积小,重量轻,便于携带,可广泛用于小家电制造、仪器仪表、玩具及旅游业。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式来对本发明做进一步地详细说明。

图1是本发明的半导体温差发电装置的结构示意图;

图2是本发明的半导体温差发电装置的半导体阵的结构示意图;

图3是本发明的半导体温差发电装置的工作状态图。

其中,1为基片,2为散热铜片,3为P型半导体,4为型半导体。

具体实施方式

本发明的半导体温差发电装置,包括上下两层绝缘陶瓷基片1、固定在上下基片内的散热铜片2、固定在金属散热片内侧的半导体阵和阴、阳极导线。所说的半导体阵由P型半导体3和N型半导体4组成。

本发明的半导体温差发电装置在工作时,当外界的热量加在上层陶瓷基片上时,两种半导体的接合端吸收热量,处于低温的一端则可以得到电动势,从而产生电能,并通过正负电极导线输出,供应给蓄电池或者低功率电器。当发电系统的两面达到温差60度时,电压3.5伏,电流3安。若温差在0-60度之间,电压在0-3.5V之间变化,电流在0-3A之间变化。安装时发电组件两面都要加上金属散热片,能保证组件的热面均匀受热,冷面要有很好的散热条件,如:风冷、水冷等方式。使用时,热面温度不能超过200度。

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