[发明专利]下导板画素结构无效
申请号: | 200910036784.2 | 申请日: | 2009-01-19 |
公开(公告)号: | CN101707201A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 钟明达;邱昌明 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所 44231 | 代理人: | 侯来旺 |
地址: | 511458 广东省深圳市深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导板 结构 | ||
【技术领域】
本发明是有关一种面板结构,特别是关于一种可用于薄膜晶体管液晶显示面板的下导板画素结构。
【背景技术】
一般薄膜晶体管液晶显示面板(TFT LCD)的下导板画素结构包括一第一金属层用以作为闸极电极,于第一金属层上形成非晶硅层,且相互间透过绝缘层以相区隔;一第二金属层将形成于非晶硅层上,此第二金属层将具有多漏极电极、多源极电极及多条数据线;之后再于第二金属层上形成多个薄膜导电层,且第二金属层与薄膜导电层之间相以绝缘层加以区隔。
由于第二金属层与薄膜导电层之间具有绝缘层,因此,薄膜导电层与第二金属层之数据现之间将产生边际电容效应,底下将针对此效应加以说明
图1所示为薄膜导电层与数据线相对位置的结构立体图,并请同时参阅图2所示的薄膜导电层与数据线相对位置的结构示意图,如图所示,多个薄膜导电32设置于一绝缘层34上,此薄膜导电层32两侧为平整面,一数据线30设置于两相邻薄膜导电层32之中间位置,如此,数据线30与两相邻薄膜导电层32形成的边际电容36将为相对称。当数据线30与相邻薄膜导电层32之间具有对位误差,且误差过大时,将如图3所示,数据线30对位将较接近右边之薄膜导电层32,将使得此数据线30因与右边的薄膜导电层32相距较近,进而使彼此间形成的边际电容36较大,反之与左边薄膜导电层32间相距较远,进而使彼此间形成的边际电容36较小,如此因对位误差过大所造成边际电容36不对称的现象,将使薄膜晶体管液晶显示面板容易于特定画面,产生画面灰暗不均现象。
有鉴于此,本发明是针对上述该些困扰,将改良薄膜导电层32的结构,以使当数据线30与薄膜导电层32发生过大对位误差时,能有效降低数据线30与相邻膜导电层32之间边际电容36不对称的比例。
【发明内容】
本发明的主要目的在提供一种下导板画素结构,其将大幅降低第二金属层的数据线与相邻薄膜导电层之间因对位误差所造成的边际电容比例不相对称的现象。
本发明的另一目的在提供一种下导板画素结构,其将大幅改善薄膜晶体管液晶显示面板在特定画面产生的画面不均现象,以提升显示面板之画面显示品质。
为达到上述之目的,本发明提出的画素薄膜晶体管结构是以一第一金属层作为闸极电极,一非晶硅层位于第一金属层上,于此非晶硅层上将形成一第二金属层,此第二金属层将具有多个漏极电极、多个源极电极与多条数据线;于此第二金属层上再形成多个薄膜导电层,此薄膜导电层两侧具有多个凸起部与凹陷部,呈现规则锯齿形状,并且第二金属层的每一数据线位于相邻两薄膜导电层之间,藉由将薄膜导电层两侧为规则锯齿形状的结构设计,将可降低薄膜导电层与数据线发生对位误差过大所导致边际电容不对称的现象。
【图式说明】
下面结合附图和实施例对发明进一步说明;
图1为现有技术的薄膜导电层与数据线相对位置的结构立体图;
图2为现有技术的薄膜导电层与数据线相对位置的结构示意图;
图3为现有技术的薄膜导电层与数据线相对位置对位误差过大的结构示意图;
图4为本发明的结构剖视图;
图5为本发明的薄膜导电层与数据线相对位置的结构立体图;
图6为本发明的薄膜导电层与数据线相对位置的结构示意图;
图7为本发明的薄膜导电层与数据线相对位置对位误差过大的结构示意图;
图8为本发明的薄膜导电层与数据线相对位置另一实施例的结构立体图;
图9为本发明的薄膜导电层与数据线相对位置另一实施例的结构示意图;
图10为本发明的薄膜导电层与数据线相对位置另一实施例对位误差过大的结构示意图。
【具体实施方式】
本发明提出一种下导板画素结构,其薄膜导电层两侧将为规则锯齿形状,且于两相邻的薄膜导电层之间将对应第二金属层设置数据线,当薄膜导电层与数据线发生对位误差过大时,薄膜导电层两侧锯齿形状的设计,将可有效降低数据线与相邻膜导电层之间边际电容值不对称的比例,底下则将以较佳实施例来详述本发明的技术特征。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的