[发明专利]具温度感测组件的发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于包括：

一基板；

一半导体堆叠发光结构，设置于所述基板上，其包括：一n型半导体层、半导体活性层以及p型半导体层所构成者；

一温度感测组件，位于半导体堆叠发光结构任一表面上。

2.根据权利要求1所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：更进一步包括一设置于所述温度感测组件与所述半导体堆叠发光结构之间的绝缘层。

3.根据权利要求1所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层位于所述基板与所述半导体堆叠发光结构之间，且其中所述绝缘层具有一平整上表面。

4.根据权利要求1所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述温度感测组件包括有二个端电极，所述两端电极由所述半导体堆叠发光结构裸露出。

5.根据权利要求1所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述温度感测组件包含蛇型或矩阵形式布线。

6.根据权利要求5所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述温度感测组件包括有二个端电极，所述温度感测组件通过一引线与所述两端电极连接，其中所述温度感测组件的布线线宽小于所述引线的线宽。

7.根据权利要求1或2或4所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述基板为一导电基板，所述温度感测组件设置于所述导电基板之中，且所述导电基板与所述温度感测组件之间设有一辅助绝缘层。

8.根据权利要求7所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘层与所述导电基板是提供一平整表面。

9.根据权利要求2所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：更进一步包括位于所述半导体堆叠发光结构上的一第一电极与一第二电极，其中所述第一电极的高度与所述第二电极的高度相近。

10.一种发光二极管组件，包含如权利要求1或2或3或4所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述具温度感测组件的发光二极管芯片设置于一封装外结构上，且所述温度感测组件位于邻近所述封装外结构一侧，所述n型半导体层以及p型半导体层分别通过一导线与所述封装结构电性连接。

11.一种发光二极管组件，包含如权利要求1或2或9所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述具温度感测组件的发光二极管芯片是以倒装方式设置于一封装结构上，而所述温度感测组件位于邻近所述封装外结构一侧，所述n型半导体层以及p型半导体层通过所述倒装的方式与所述封装结构电性连接。

12.一种发光二极管组件，包含如权利要求7所述的具温度感测组件的发光二极管芯片，其特征在于：所述具温度感测组件的发光二极管芯片设置于一封装结构上，且所述温度感测组件位于邻近所述封装外结构一侧，所述n型半导体层或p型半导体层通过所述导电基板与所述封装结构电性连接。

13.一种具温度感测组件的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

提供一基板；

制作一半导体堆叠发光结构于该基板上；以及

制作一温度感测组件于该半导体堆叠发光结构上或下。